DIODES(美台)
SMC(DO-214AB)
¥0.605
139849
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-323
¥0.02912
114437
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
晶导微电子
SOD-123
¥0.0385
12569895
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
DIODES(美台)
Power-DI-5
¥0.8248
10027
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):510 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.0649
1841133
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
ST(意法半导体)
SOD-323
¥0.13086
23246
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 100 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
DO-214AC,SMA
¥0.15821
276638
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Slkor(萨科微)
SMA(DO-214AC)
¥0.0456
83964
正向压降(Vf):500mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):400uA@40V
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.05032
135731
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.1102
273857
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BORN(伯恩半导体)
SMA
¥0.168
58638
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
MDD(辰达行)
SOD-123FL
¥0.0979
250285
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.0396
363469
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
Prisemi(芯导)
SOD-123FL
¥0.26453
58795
正向压降(Vf):380mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@40V
Hottech(合科泰)
SMA(DO-214AC)
¥0.03642
91781
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA@40V
MDD(辰达行)
SOD-123FL
¥0.1045
164052
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
LGE(鲁光)
SMB
¥0.1294
148338
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.185
3928752
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.0345
604337
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.11
820904
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@40V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.1033
165849
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):640 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.7161
80330
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.06966
47652
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.1127
74996
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
KUU(永裕泰)
SOD-123
¥0.022724
164026
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.0504
326356
正向压降(Vf):620mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):20uA@40V
Nexperia(安世)
SOD-123W
¥0.3025
67609
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.08705
26058
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
UMW(友台半导体)
SMB
¥0.14
21510
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@100V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123FL
¥0.03432
104472
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
DIODES(美台)
SMA
¥0.25688
249154
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-323
¥0.0434
127696
正向压降(Vf):1V@250mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA,反向电流(Ir):2uA@75V
华轩阳
SOD-123FL
¥0.08398
32660
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0859
661302
正向压降(Vf):560mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):30uA
ElecSuper(静芯)
SMB
¥0.09
61860
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
LGE(鲁光)
SMC
¥0.22464
34225
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
Slkor(萨科微)
SOT-23
¥0.02444
55495
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
LRC(乐山无线电)
SOD-123FL
¥0.07488
142715
正向压降(Vf):550mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,工作结温范围:-55℃~+150℃
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.0832
1121696
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):300uA@100V
YANGJIE(扬杰)
SMC(DO-214AB)
¥0.26416
21792
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Infineon(英飞凌)
SOD-323
¥0.4457
52110
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):750mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):740 mV @ 750 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123FL
¥0.031705
111800
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
BORN(伯恩半导体)
SOD-123FL
¥0.167
31789
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@100V
CJ(江苏长电/长晶)
TO-277
¥0.956
65012
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):470mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A
Prisemi(芯导)
DFN1006-2L
¥0.049
309552
正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:1A,反向电流(Ir):100uA@40V
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.07987
45201
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
onsemi(安森美)
SOD-123FL
¥0.3724
123626
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMA
¥0.125
51082
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:5A
LRC(乐山无线电)
SOD-123FL
¥0.22
93009
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
onsemi(安森美)
DO-216AA
¥0.76467
107432
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)