晶导微电子
SMA
¥0.0363
1418423
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
ST(意法半导体)
SOD-523
¥0.18
147260
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 100 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SUNMATE(森美特)
SMA(DO-214AC)
¥0.07771
85981
正向压降(Vf):550mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA
MDD(辰达行)
SMB(DO-214AA)
¥0.0902
135501
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.10816
165673
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
华轩阳
SOD-123
¥0.03359
126109
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
DIODES(美台)
SMA
¥0.3952
148638
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
TO-277
¥0.55536
28817
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@10A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:10A
GOODWORK(固得沃克)
SOD-323
¥0.033
75713
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
MSKSEMI(美森科)
SMA(DO-214AC)
¥0.04191
211191
正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@40V
BORN(伯恩半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.0675
43109
正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA@60V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-323
¥0.0737
131375
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.082026
101064
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
GOODWORK(固得沃克)
SMC(DO-214AB)
¥0.29526
16242
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@8A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:8A
KUU(永裕泰)
SOD-323
¥0.0226
134329
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.03401
46878
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):580mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.03904
151186
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA
TECH PUBLIC(台舟)
SOD-323
¥0.0864
46409
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@250mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.1111
63353
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):720mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.1664
64324
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:3A
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.065
41870
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.116
16500
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):620mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:500mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.167
218927
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):430mV@2A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:2A
UMW(友台半导体)
SOT-23-3
¥0.056
11674
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
Nexperia(安世)
SOT-323-3
¥0.048
439014
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
Slkor(萨科微)
SMA(DO-214AC)
¥0.06302
75082
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):100uA@100V
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.0654
1372567
正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):300uA@100V
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.0836
182686
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Infineon(英飞凌)
SC-76,SOD-323
¥0.466
32590
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):10 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
TO-252
¥0.49
213691
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
onsemi(安森美)
SOD-123FL
¥0.528264
5446
正向压降(Vf):650mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A,反向电流(Ir):400uA@20V
TECH PUBLIC(台舟)
SOD-923
¥0.0538
54851
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):400mV@20mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.05117
50396
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
MCC(美微科)
SOD-123
¥0.085
15299
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BORN(伯恩半导体)
SMB
¥0.2465
13329
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@40V
FUXINSEMI(富芯森美)
SMC
¥0.353
116521
正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A,反向电流(Ir):500uA@100V
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥0.36
147816
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Slkor(萨科微)
SOD-323
¥0.0303
116397
正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1mA@40V
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.04638
29903
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:350mA
Hottech(合科泰)
SOD-123FL
¥0.0748
30794
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
MDD(辰达行)
DO-214AC,SMA
¥0.0847
39246
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.145
115234
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
POWERDI®123
¥0.45
117862
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):860 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0671
273741
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SOD-123W
¥0.2205
0
正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A,反向电流(Ir):100uA@60V
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.26
670643
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SOD-523
¥0.292
16793
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 300 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.429462
42388
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):430 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-214AA,SMB
¥0.519
11717
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):630 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
TO-277
¥0.83673
9110
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):420mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A