DIODES(美台)
TO-263-2
¥1.51
677
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):840mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
LGE(鲁光)
R-6
¥1.809
629
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):510mV@20A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:20A
onsemi(安森美)
TO-277-3L
¥1.97426
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):12A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):670 mV @ 12 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SKYWORKS(思佳讯)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥1.77
15440
二极管类型:肖特基 - 1 对串联,电压 - 峰值反向(最大值):2V,电流 - 最大值:50 mA,功率耗散(最大值):75 mW,工作温度:-65°C ~ 150°C(TA)
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.02283
889533
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
KUU(永裕泰)
SOT-23
¥0.022515
330443
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-123
¥0.036
8840
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):510mV@500mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:380mA
JUXING(钜兴)
SOD-123FL
¥0.0418
2800
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.046
23928
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):400mV@10mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
LGE(鲁光)
SOD-323
¥0.06183
7086
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA
MDD(辰达行)
SMAF
¥0.066
42641
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.06812
10983
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@500mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:500mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.07894
10999
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@40mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA
LGE(鲁光)
SOD-323
¥0.0774
17580
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
DOWO(东沃)
DO-214AC(SMA)
¥0.0807
24614
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
MSKSEMI(美森科)
SOD-323
¥0.08
12531
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0902
76415
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):750mV@100mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:250mA
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.08008
18654
正向压降(Vf):370mV,直流反向耐压(Vr):40V,反向电流(Ir):1uA,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):1.5A
Nexperia(安世)
SOT-323-3
¥0.092
51304
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):70mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA
LRC(乐山无线电)
DO-214AC(SMA)
¥0.099
87102
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.15849
30345
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.10406
388462
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):70mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123FL
¥0.07342
14996
正向压降(Vf):950mV@1.0A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:1A,反向电流(Ir):100uA@150V
SHIKUES(时科)
SOD-123FL
¥0.1302
149586
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):120V,整流电流:1A
晶导微电子
SMAF
¥0.132
101835
正向压降(Vf):500mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@60V
TOSHIBA(东芝)
SOD-523
¥0.1531
14849
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):10 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 100 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
KUU(永裕泰)
SMC
¥0.1622
116430
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.0919
23740
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
SHIKUES(时科)
SMAF
¥0.19342
14800
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.165
12005
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):420 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-323HE
¥0.2145
360041
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
MiniMELF
¥0.22288
125066
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LRC(乐山无线电)
DO-214AC
¥0.19552
11030
正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,反向电流(Ir):500uA@40V
YFW(佑风微)
SMAF
¥0.2845
8855
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.252
540933
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BORN(伯恩半导体)
SMC
¥0.2654
5240
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@60V
DIODES(美台)
Power-DI-5
¥0.38
194603
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SHIKUES(时科)
SMC
¥0.53865
9644
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
Nexperia(安世)
SOD-123W
¥0.480249
107777
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):770 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB
¥0.528
29926
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
TO-252-2
¥0.55
75305
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):700mV@10A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:20A
TWGMC(台湾迪嘉)
TO-277
¥0.7049
17235
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@15A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:15A
SMC(桑德斯)
DPAK
¥0.7927
1025
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 mA @ 200 V
onsemi(安森美)
DO-214AC
¥0.82
11965
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMB(DO-214AA)
¥1.3385
25
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
TO-277A
¥1.276
21755
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):680 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
TO-277A
¥1.33
68880
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):7A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 7 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-1289
¥2.5935
1561
正向压降(Vf):490mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A,反向电流(Ir):600uA@45V
VISHAY(威世)
DO-214AB(SMC)
¥0.7492
5090
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-277B
¥1.755
1164
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):840mV@20A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:20A