LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.05429
357536
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.3V,反向电流(Ir):3uA,稳压值(范围):4V~4.6V
ST(先科)
SOD-323
¥0.06
2740
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):20uA@1V,稳压值(范围):3.234V~3.366V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0572
245036
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):68V,反向电流(Ir):100nA@52V,稳压值(范围):64.6V~71.4V
晶导微电子
SOD-123
¥0.0593
4750
稳压值(标称值):68V,反向电流(Ir):200nA@52V,稳压值(范围):66.64V~69.36V,耗散功率(Pd):500mW
ST(先科)
DO-35
¥0.061
6364
稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):2uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V,耗散功率(Pd):500mW
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.061
323879
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):51V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):48V~54V
LGE(鲁光)
LL-34
¥0.061845
2740
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):4uA@1V,稳压值(范围):2.94V~3.06V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0737
114529
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):500nA@6V,稳压值(范围):8.5V~9.6V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0737
104720
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):2.8V~3.2V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0737
206710
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):3uA@4V,稳压值(范围):5.8V~6.6V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0624
36901
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16.2V,反向电流(Ir):50nA,稳压值(范围):15.3V~17.1V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.10202
10374
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±2%,功率 - 最大值:410 mW,阻抗(最大值)(Zzt):50 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 14 V
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0651
15127
稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):500nA@1.0V,稳压值(范围):5.2V~6V,耗散功率(Pd):200mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.055
11604
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):10uA@5.1V,稳压值(范围):6.46V~7.14V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.0693
13674
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±2%,功率 - 最大值:410 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 9 V
LRC(乐山无线电)
SOD-523
¥0.0671
21849
稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@1.5V,稳压值(范围):4.98V~5.2V,耗散功率(Pd):200mW
LRC(乐山无线电)
SOD-523
¥0.056
214128
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):200nA@7.0V,稳压值(范围):8.5V~9.6V
BLUE ROCKET(蓝箭)
SOD-123
¥0.0674
4200
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):3.4V~3.8V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0679
1363
稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):5.32V~5.88V,耗散功率(Pd):500mW
ST(先科)
DO-41
¥0.0704
12738
稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):5uA@9.9V,稳压值(范围):12.35V~13.65V,耗散功率(Pd):1W
ST(先科)
DO-41
¥0.0693
16335
稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):5uA@20.6V,稳压值(范围):25.65V~28.35V,耗散功率(Pd):1W
ROHM(罗姆)
SOD-923
¥0.086
438908
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,功率 - 最大值:100 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2.5 V,工作温度:150°C
德昌电子
DO-35
¥0.07
50
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):200nA@10V,耗散功率(Pd):500mW
MSKSEMI(美森科)
LL-34
¥0.0699
12012
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):5V~5.2V
晶导微电子
SOD-323
¥0.0711
5450
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):14.7V~15.3V
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.072
1615
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):14V,稳压值(范围):13.3V~14.7V,耗散功率(Pd):225mW
ST(先科)
SOD-123
¥0.074
2700
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):2uA@1V,稳压值(范围):4.606V~4.794V
晶导微电子
SMAF
¥0.0726
80269
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):39V,反向电流(Ir):5uA@30V,稳压值(范围):37.2V~41.5V
PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.0728
21630
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):39 V,容差:±2%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 29 V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.09142
12740
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):8 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 6.5 V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0732
4540
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):4.85V~5.36V
晶导微电子
SOD-123
¥0.0734
2300
稳压值(标称值):62V,反向电流(Ir):200nA@47V,稳压值(范围):60.76V~63.24V,耗散功率(Pd):500mW
YANGJIE(扬杰)
SOD-123G
¥0.0802
570
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):100nA@14V,稳压值(范围):18.8V~21.2V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0708
5250
稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):23.52V~24.48V,耗散功率(Pd):200mW
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.0762
57540
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):28 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25 µA @ 1 V
Slkor(萨科微)
LL-41
¥0.0403
0
稳压值(标称值):33V,反向电流(Ir):5uA@25.1V,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):45Ω
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0623
1019746
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):14.7V~15.3V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.087813
196566
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V,容差:±2%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:700 nA @ 5 V
ST(先科)
SOD-123
¥0.081
2020
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@12.6V,稳压值(范围):16.8V~19.1V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.0811
47599
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3 V,容差:±7%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
DIODES(美台)
SOD-123F
¥0.06636
8132
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5.42%,功率 - 最大值:375 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
Nexperia(安世)
SOT-23(TO-236AB)
¥0.0912
33139
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.7 V,容差:±2%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20 µA @ 1 V
PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.07467
32756
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20 V,容差:±2%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):50 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 15 V
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.094374
56723
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 1 V
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.0881
4247
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.0894
40
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±1.94%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 2 V
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.0899
30745
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3 V,容差:±7%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0889
23920
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 7 V
MSKSEMI(美森科)
SMA
¥0.089965
2280
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):39V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):37.2V~41.5V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.0978
8680
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):75V,反向电流(Ir):1uA@56V,稳压值(范围):71.2V~78.8V