DIODES(美台)
SOD-323
¥0.11759
18704
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 9.1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
MSKSEMI(美森科)
SMA
¥0.167485
2270
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2.5uA@2.0V,稳压值(范围):4.84V~5.36V
onsemi(安森美)
DO-35
¥0.1588
7090
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):6 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 6 V
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.1763
8300
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):5uA@18.2V,稳压值(范围):22.8V~25.2V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.188
1370
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):11V,反向电流(Ir):5uA@8.4V,稳压值(范围):10.5V~11.6V
SUNMATE(森美特)
SMA(DO-214AC)
¥0.17879
32250
稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):10uA,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):5Ω
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.12896
17492
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 5 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1725
2406
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20 µA @ 1 V
VISHAY(威世)
SOD-323
¥0.186
36847
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2 V,容差:±4%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:120 µA @ 500 mV
德昌电子
LL-41
¥0.174
0
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA,耗散功率(Pd):1W
VISHAY(威世)
MiniMELF(SOD-80)
¥0.11128
87707
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 1 V
VISHAY(威世)
DO-204AL(DO-41)
¥0.176076
280
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.3 W,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 18 V
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.1763
2600
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):10uA@7.6V,稳压值(范围):9.5V~10.5V
德昌电子
LL-41
¥0.177
15000
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):5uA@13.7V,耗散功率(Pd):1W
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.187
24843
配置:1 对共阳极,电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.176
14742
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 9.1 V,安装类型:表面贴装型
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.18
66524
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):91 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):250 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 69.2 V
晶导微电子
SMB
¥0.2797
4850
稳压值(标称值):5.6V,稳压值(范围):5.32V~5.88V,耗散功率(Pd):550mW,阻抗(Zzt):2Ω
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.1125
3570
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±2%,功率 - 最大值:320 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 3 V
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.1955
8360
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA@11.4V,稳压值(范围):14.25V~15.75V
Comchip(典琦)
SOD-523F
¥0.1918
3505
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9 V,容差:±5%,功率 - 最大值:150 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.21339
585
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):5uA@8V,稳压值(范围):9.4V~10.6V
VISHAY(威世)
MiniMELF(SOD-80)
¥0.212
3510
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 2 V
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.22672
23491
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 2 V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.2349
3260
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):36V,反向电流(Ir):27.4uA,稳压值(范围):34.2V~37.8V
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.2417
7905
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):41 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 21 V
Slkor(萨科微)
SMB
¥0.1833
190
稳压值(标称值):25V,反向电流(Ir):500nA,耗散功率(Pd):5W,阻抗(Zzt):4Ω
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.224048
1860
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):500nA@18.2V,稳压值(范围):22.8V~25.2V
DIODES(美台)
X1-DFN1006-2
¥0.147
7700
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V,容差:±6%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 4 V
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.2208
3030
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 4 V,工作温度:-55°C ~ 150°C
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.3015
1055
稳压值(标称值):62V,反向电流(Ir):100nA,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):125Ω
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.282
3655
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):4.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 6 V
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.1882
5425
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
ROHM(罗姆)
SOD-923
¥0.085
125021
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,功率 - 最大值:100 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 3 V,工作温度:150°C
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
DO-214AC(SMA)
¥0.29
195860
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±6%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):12 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 13 V
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.3012
6140
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):23 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 16.7 V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123FL
¥0.3033
1505
稳压值(标称值):51V,反向电流(Ir):500nA@38.8V,稳压值(范围):48.45V~53.55V,耗散功率(Pd):1.5W
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.237
48999
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):21 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 14 V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.339055
9775
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5V,反向电流(Ir):5uA@2.0V,稳压值(范围):4.75V~5.25V
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.3786
5030
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 13.7 V
SUNMATE(森美特)
DO-201AD
¥0.3458
24290
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):5uA,耗散功率(Pd):5W
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.1042
2780
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 1.5 V
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥0.38
18501
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.4 V,容差:±5.88%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 µA @ 1 V
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.4212
1620
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):12 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 13.7 V
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥0.391
15572
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±6%,功率 - 最大值:1 W,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 11 V,工作温度:150°C(TJ)
VISHAY(威世)
DO-41 (DO-204AL)
¥0.28215
4077
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±6%,功率 - 最大值:1.3 W,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 11 V
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.553375
630
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):56V,反向电流(Ir):500nA@42.6V,耗散功率(Pd):5W
LGE(鲁光)
SMB
¥0.66
0
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):12.35V~13.65V
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥0.6548
1267
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.15 V,容差:±6.02%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40 µA @ 1 V
onsemi(安森美)
SMA
¥0.3643
39673
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):36 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):38 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 27.4 V