Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.0911
22828
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5.9%,功率 - 最大值:350 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.1186
43593
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12.05 V,容差:±5.4%,功率 - 最大值:350 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
Nexperia(安世)
SOD-323(SC-76)
¥0.099
32243
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):55 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 15.4 V
VISHAY(威世)
SOD-80
¥0.0927
69108
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 7.5 V
SHIKUES(时科)
SMAF
¥0.094715
3040
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):7.79V~8.67V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.101079
20989
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 18.9 V
ST(先科)
DO-41
¥0.0946
10234
稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):100uA@1V,稳压值(范围):3.42V~3.78V,耗散功率(Pd):1W
onsemi(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.0951
40222
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):11 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 3 V
FOSAN(富信)
SMA
¥0.1066
4220
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):36V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):34.2V~37.9V
SUNMATE(森美特)
SMA(DO-214AC)
¥0.106875
36080
稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):14Ω
MSKSEMI(美森科)
SMA
¥0.09899
1800
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):10uA,稳压值(范围):5.86V~6.51V
VISHAY(威世)
DO-35(DO-204AH)
¥0.0971
14255
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):50 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 13 V
PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.11
9160
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±1.94%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 2 V
AnBon(安邦)
SOD-123
¥0.1003
1320
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.8V,反向电流(Ir):2uA@4V,稳压值(范围):6.66V~6.94V
PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.108
5900
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 15 V
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.0988
124650
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±2%,功率 - 最大值:375 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 4 V
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.1026
1257
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):36 V,容差:±2%,功率 - 最大值:375 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 25.2 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.04837
1880
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):75 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):255 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 52.5 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.1038
4280
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):36 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 27 V
YANGJIE(扬杰)
SOT-23
¥0.1103
20
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±7.14%,功率 - 最大值:350 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.1082
0
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):17.6V~18.4V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.11
8440
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):5uA@21V,稳压值(范围):25.3V~28.9V
ST(先科)
LL-41
¥0.1095
39250
稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):100uA@1V,稳压值(范围):3.42V~3.78V,耗散功率(Pd):1W
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.1114
182212
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):27V,反向电流(Ir):5uA@21V,稳压值(范围):25.3V~28.9V
onsemi(安森美)
SOD-323FL
¥0.098154
1890
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):37 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:45 nA @ 11.2 V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.1132
3800
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):24 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15 µA @ 1 V
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.0879
3550
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:375 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
SUNMATE(森美特)
DO-41
¥0.12768
27200
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):200V,反向电流(Ir):500nA@152V,稳压值(范围):190V~210V
onsemi(安森美)
SOD-323FL
¥0.097666
3170
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):62 V,容差:±2%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):202 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:45 nA @ 43.4 V
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOD-123
¥0.146
2610
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20.8 V,容差:±6%,功率 - 最大值:1 W,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 15 V,工作温度:-55°C ~ 150°C
onsemi(安森美)
DO-35
¥0.127
5322
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):28 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25 µA @ 1 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.1277
440
稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2.0V,稳压值(范围):4.8V~5.4V,耗散功率(Pd):300mW
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.128
2420
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±6%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12.6 V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.12
4992
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
VISHAY(威世)
DO-35(DO-204AH)
¥0.3739
60
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):35 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 1 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 200 mA
晶导微电子
SOD-123
¥0.1335
3580
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):51V,反向电流(Ir):1uA@38V,稳压值(范围):48.6V~54V
TECH PUBLIC(台舟)
DFN1006-2
¥0.1344
16630
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):3.4V~3.8V
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.12
9260
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±6%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 10.5 V
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.102
16794
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 6 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1111
17374
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 11.2 V
Nexperia(安世)
SOD-323F(SC-90)
¥0.139874
27040
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):36 V,容差:±5%,功率 - 最大值:550 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 25.2 V
ZHIDE(志得)
SOD-123FL
¥0.04935
2700
稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):17.1V~18.9V,耗散功率(Pd):1W
LRC(乐山无线电)
SMA-FL
¥0.2223
3000
稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):70uA,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):4.5Ω
MCC(美微科)
SOD-523
¥0.1541
14760
稳压值(标称值):3V,反向电流(Ir):10uA@1V,稳压值(范围):2.8V~3.2V,耗散功率(Pd):150mW
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.1738
4118
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):17 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 12.9 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.1594
6540
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):500nA@9.9V,稳压值(范围):12.35V~13.65V
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.16155
35219
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±7.1%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
SUNMATE(森美特)
SMA(DO-214AC)
¥0.18088
31130
稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA,耗散功率(Pd):1W,阻抗(Zzt):7Ω
LGE(鲁光)
SMA(DO-214AC)
¥0.1692
6010
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):36V,反向电流(Ir):5uA@1.0V,稳压值(范围):34.2V~37.8V
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.163
32132
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 2 V