Nexperia(安世)
SOD-523(SC-79)
¥0.1727
41361
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 4 V
Nexperia(安世)
SOT-323
¥0.172
9100
配置:1 对共阳极,电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:180 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms
MSKSEMI(美森科)
SMA
¥0.167485
3140
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):22V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):20.9V~23.1V
Nexperia(安世)
SOD-323F(SC-90)
¥0.1553
9589
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5%,功率 - 最大值:550 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
onsemi(安森美)
DO-35
¥0.1441
7345
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):16 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 11 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.1127
4531
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):23 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1 V
ZHIDE(志得)
SMA
¥0.1872
4060
稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):14.25V~15.75V,耗散功率(Pd):1W
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.18718
4310
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±2%,功率 - 最大值:320 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 13 V
LGE(鲁光)
SMB
¥0.19368
2780
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):82V,反向电流(Ir):1uA@62.2V,稳压值(范围):79.22V~83.65V
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.196
3004
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 7 V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.20634
5965
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):120V,反向电流(Ir):1uA@91.2V,稳压值(范围):114V~126V
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.272
2230
配置:1 对共阴极,电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms
Slkor(萨科微)
SMB
¥0.1654
4950
稳压值(标称值):9.1V,反向电流(Ir):5uA@7.0V,耗散功率(Pd):3W,阻抗(Zzt):4Ω
LGE(鲁光)
SMB
¥0.21141
3170
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):8.2V,反向电流(Ir):5uA@6.5V,稳压值(范围):7.79V~8.61V
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.2115
5505
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):17.17V~18.88V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.2115
8380
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):500nA@12.2V,稳压值(范围):14.4V~17.6V
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.2115
1960
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):100V,反向电流(Ir):5uA@79V,稳压值(范围):95V~105V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.2117
5020
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:75 µA @ 1 V
VISHAY(威世)
SOT-23
¥0.13
6377
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
德昌电子
DO-41
¥0.225
0
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):36V,反向电流(Ir):5uA@27.4V,稳压值(范围):34.2V~37.8V
onsemi(安森美)
SC-79
¥0.2346
20142
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.61 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 2 V
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.235
1370
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):120V,反向电流(Ir):1uA@91V,稳压值(范围):114V~127V
ZHIDE(志得)
SMA
¥0.25346
16970
稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):500nA@18.2V,稳压值(范围):22.8V~25.6V,耗散功率(Pd):2W
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.258096
1660
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6 V,容差:±2%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 3.5 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.208
5882
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):62 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):185 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 47 V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.265
4870
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):21.6V~26.4V
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.27
26603
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):6.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 9.1 V
KUU(永裕泰)
SMA(DO-214AC)
¥0.277685
16870
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):33V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):31V~35V
ZHIDE(志得)
SMA
¥0.28728
14975
稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):100uA@1.0V,稳压值(范围):3.14V~3.47V,耗散功率(Pd):2W
PANJIT(强茂)
SMA
¥0.2879
3980
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):100nA@9.9V,稳压值(范围):12.35V~13.65V
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.7757
70
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V,容差:±5%,功率 - 最大值:410 mW,阻抗(最大值)(Zzt):9 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 10 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.273
136067
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 15 V
ROHM(罗姆)
SOD-123FL
¥0.32
27721
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,功率 - 最大值:1 W,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 9 V,工作温度:150°C,安装类型:表面贴装型
DIODES(美台)
SMA
¥0.318
50118
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):2 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 4 V
SUNMATE(森美特)
DO-201AD
¥0.3458
24080
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):30V,反向电流(Ir):500nA@22.8V,耗散功率(Pd):5W
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.3581
419
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):4.5 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 6 V
LGE(鲁光)
DO-15
¥0.48
1915
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):22.8V~25.2V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.4827
15
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):14 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 10 V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.903
60
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):25 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 nA @ 19 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
VISHAY(威世)
DO-204AL(DO-41)
¥0.3646
3410
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):39 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.3 W,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 29.7 V
onsemi(安森美)
SMA
¥0.4158
55842
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):51 V,容差:±5%,功率 - 最大值:1.5 W,阻抗(最大值)(Zzt):70 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 38.8 V
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.1005
9660
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
SUNMATE(森美特)
DO-201AD
¥0.3575
25880
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):20V,反向电流(Ir):500nA,耗散功率(Pd):5W
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.37
13375
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):16V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):15.2V~16.8V
DIODES(美台)
SOT-23-3
¥0.2827
3000
配置:1 对共阴极,电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±5%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.46854
1195
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):1uA,耗散功率(Pd):5W
MSKSEMI(美森科)
SMB(DO-214AA)
¥0.52425
90
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):13V,反向电流(Ir):1uA,耗散功率(Pd):5W
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.504
2830
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):7.5V,反向电流(Ir):10uA@5.7V,耗散功率(Pd):5W
DIODES(美台)
PowerDI123
¥0.536
8065
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±7%,功率 - 最大值:1 W,阻抗(最大值)(Zzt):4 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 2 V
onsemi(安森美)
SMB
¥0.481
12564
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):91 V,容差:±5%,功率 - 最大值:3 W,阻抗(最大值)(Zzt):200 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 69.2 V