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BZT52C6V8LP-7
DIODES(美台)
X1-DFN1006-2
稳压二极管
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：6.8 V，容差：±6%，功率 - 最大值：250 mW，阻抗（最大值）(Zzt)：15 Ohms，不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：2 µA @ 4 V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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BZT52C6V8LP-7
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DIODES(美台)
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X1-DFN1006-2
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3000+:￥0.147 1+:￥0.166 |
3000 |
23+
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圣禾堂
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3000+:￥0.2205 1500+:￥0.249 200+:￥0.2865 130+:￥0.3848 |
3000 |
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唯样商城
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300+:￥0.256 100+:￥0.289 10+:￥0.356 |
1100 |
19+/20+
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在芯间
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300+:￥0.2605 100+:￥0.2963 10+:￥0.3677 |
600 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 6.8 V |
| 容差 | ±6% |
| 功率 - 最大值 | 250 mW |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 15 Ohms |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 2 µA @ 4 V |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900 mV @ 10 mA |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 0402（1006 公制） |