LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0658
100
稳压值(标称值):28V,反向电流(Ir):100nA@21V,稳压值(范围):26.6V~29.4V,耗散功率(Pd):500mW
MSKSEMI(美森科)
SMA
¥0.078755
1120
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):22V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):20.8V~23.3V
德昌电子
LL-34
¥0.079
0
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):39V,反向电流(Ir):200nA@30V,耗散功率(Pd):500mW
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.0836
64604
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12.6 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0834
15670
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±6%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 4 V
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.080275
13540
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:250 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0842
92401
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):29 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 17 V
VISHAY(威世)
MiniMELF(SOD-80)
¥0.0882
46965
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 1 V
MSKSEMI(美森科)
SOD-882
¥0.101175
6800
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@9V,稳压值(范围):11.4V~12.6V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.09152
41790
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.4 V,容差:±2%,功率 - 最大值:400 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 µA @ 1 V
Nexperia(安世)
SOD27(DO-35)
¥0.0882
11200
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:400 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 10.5 V
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOD-323
¥0.0887
21485
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±2%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):50 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0935
33965
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):49 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 23 V
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.0911
20
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±6%,功率 - 最大值:350 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 7 V
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.1108
5627
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.7 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20 µA @ 1 V
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.0955
35536
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.7 V,容差:±7%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20 µA @ 1 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.0907
2460
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V,容差:±1.94%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 2 V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.065243
300
稳压值(标称值):2.7V,反向电流(Ir):100uA@1.0V,稳压值(范围):2.69V~2.91V,耗散功率(Pd):500mW
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.092763
10938
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20 V,容差:±2%,功率 - 最大值:375 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 14 V
PANJIT(强茂)
LL-34
¥0.084
5460
二极管配置:独立式,反向电流(Ir):5uA@2.5V,稳压值(范围):5.45V~5.73V,耗散功率(Pd):500mW
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.1206
3560
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.1 V,容差:±1.98%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 6.5 V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.099
27404
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):6 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 µA @ 6 V
YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.1312
3500
二极管配置:1对共阳极,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
MSKSEMI(美森科)
SMAF
¥0.09557
5620
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):36V,反向电流(Ir):5uA,稳压值(范围):34.2V~37.9V
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.0619
0
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16 V,容差:±1.94%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12 V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.1046
22404
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):28 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25 µA @ 1 V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.097388
13002
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):75 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):255 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 52.5 V
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.09
59005
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):75 V,容差:±2%,功率 - 最大值:590 mW,阻抗(最大值)(Zzt):175 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 52.5 V
MSKSEMI(美森科)
LL-41
¥0.10431
6159
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):5uA@11.4V,稳压值(范围):14.25V~15.75V
DIODES(美台)
SOD-323F
¥0.12
22048
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.27 V,容差:±3%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):130 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20 µA @ 1 V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.09936
10160
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):10uA@7V,稳压值(范围):9.5V~10.5V
ROHM(罗姆)
SOD-923
¥0.11
95852
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,功率 - 最大值:100 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 1.5 V,工作温度:150°C
onsemi(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.10244
7023
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V,容差:±5%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):13 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 9.9 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.1106
20
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 11 V
YANGJIE(扬杰)
SOD-323
¥0.1491
2740
稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@8.0V,稳压值(范围):11.76V~12.24V,耗散功率(Pd):300mW
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.1058
2025
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.6 V,容差:±2%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V
VISHAY(威世)
SOD-323
¥0.1169
5870
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±2%,功率 - 最大值:200 mW,阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
Nexperia(安世)
SOD-80C
¥0.1328
2210
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):56 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):200 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 39.2 V
ST(先科)
TO-236
¥0.1188
5266
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):2.4V,反向电流(Ir):50uA@1V,稳压值(范围):2.2V~2.6V
ZHIDE(志得)
SOD-123FL
¥0.11988
2120
稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):10uA@1.0V,稳压值(范围):4.85V~5.36V,耗散功率(Pd):1W
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.126
11527
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6 V,容差:±5%,功率 - 最大值:370 mW,阻抗(最大值)(Zzt):11 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 3 V
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.118
36348
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
SHIKUES(时科)
SMAF
¥0.1265
2800
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):15uA,稳压值(范围):11.4V~12.6V
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.124
19935
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±6%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):60 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 µA @ 2 V
GOODWORK(固得沃克)
SMB
¥0.14976
200
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):5uA@8V,稳压值(范围):9.5V~10.5V
SUNMATE(森美特)
DO-41
¥0.132
24000
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):51V,反向电流(Ir):500nA,耗散功率(Pd):2W
LRC(乐山无线电)
SMA-FL
¥0.12
61030
稳压值(标称值):24V,反向电流(Ir):500nA,稳压值(范围):22.8V~25.2V,耗散功率(Pd):1W
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.3342
1493
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):28 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25 µA @ 1 V
DIODES(美台)
SOD-323F
¥0.1551
6750
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):9.07 V,容差:±3%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:7.5 µA @ 8.39 V
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.153235
15988
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:550 mW,阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 10.5 V