MDD(辰达行)
KBP
¥0.26
69194
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:30A,反向电流(Ir):10uA@1kV
GOODWORK(固得沃克)
SOD-323
¥0.03141
125045
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:250mA
onsemi(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.05236
1045845
二极管配置:1 对共阳极,技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.1095
23196
正向压降(Vf):510mV@500mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:500mA,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):5.5A
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-277B
¥0.678
91469
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):480mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A
SHIKUES(时科)
LL-34
¥0.026
43416
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA
ElecSuper(静芯)
DO-214AC(SMA)
¥0.055056
580478
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.07654
18970
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.1176
18042
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
SOD-323
¥0.0154
447598
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.053
250850
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.68V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A
ST(意法半导体)
SMA
¥0.41
49735
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.9 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Hottech(合科泰)
DO-214AC(SMA)
¥0.02907
166086
正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
DIODES(美台)
PowerDI-123
¥0.1903
46281
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.03505
888532
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
MDD(辰达行)
SOD-123FL
¥0.0462
329055
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
ElecSuper(静芯)
DO-214AC(SMA)
¥0.069
14728
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
DIODES(美台)
SMA
¥0.17
181463
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.0324
55695
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.03058
139285
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:250mA
晶导微电子
SOD-323
¥0.0385
4567301
正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1mA@40V
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0624
77502
正向压降(Vf):250mV,直流反向耐压(Vr):100V,反向电流(Ir):500nA
Nexperia(安世)
SOD-123W
¥0.2756
66470
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):340 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123FL
¥0.0518
76036
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
MDD(辰达行)
DO-41
¥0.0661
209851
正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.12272
12364
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.0486
68967
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
GOODWORK(固得沃克)
SMC(DO-214AB)
¥0.1421
212807
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@10A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A
华轩阳
LL-34
¥0.0264
78593
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):100nA@1V,稳压值(范围):9.4V~10.6V
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.0354
157110
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):2uA@1V,稳压值(范围):4.47V~4.94V
GOODWORK(固得沃克)
SMAF
¥0.0675
43276
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.07602
136561
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):11.4V~12.6V
晶导微电子
SOD-123F
¥0.0167
1047401
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0461
29798
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):12V,反向电流(Ir):100nA@8.0V,稳压值(范围):11.4V~12.7V
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.02398
242378
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
Prisemi(芯导)
SOD-323
¥0.04826
35947
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):5uA,耗散功率(Pd):500mW
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.088
23562
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123FL
¥0.12
69071
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
Tokmas(托克马斯)
DO-214AC
¥0.1848
27050
正向压降(Vf):450mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
Slkor(萨科微)
SOD-123
¥0.0133
386183
正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):410mW
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.08
530776
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 9.1 V
Hottech(合科泰)
SOD-123FL
¥0.0155
230781
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.061
37822
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@250mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.0836
85589
正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA@100V
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.088
522074
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):16 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 11 V
Slkor(萨科微)
LL-34
¥0.01976
71367
正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,反向电流(Ir):5uA
KUU(永裕泰)
LL-34
¥0.0226
231116
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):18V,反向电流(Ir):100nA@13V,稳压值(范围):16.8V~19.1V
华轩阳
LL-34
¥0.021
53575
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):100nA@2V,稳压值(范围):5.8V~6.6V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0565
29665
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:200mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0616
43003
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):6.2V,反向电流(Ir):3uA@4.0V,稳压值(范围):5.8V~6.6V