Hottech(合科泰)
DO-214AC(SMA)
¥0.0199
79042
正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.1144
218997
正向压降(Vf):350mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA
LRC(乐山无线电)
SOD-523
¥0.046
719350
正向压降(Vf):300mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):20uA
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.2409
171981
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
LRC(乐山无线电)
DO-214AC(SMA)
¥0.113
279804
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0649
3520953
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
DIODES(美台)
PowerDI-123
¥0.3367
44673
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):310 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AA(SMB)
¥0.699
26120
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):15 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):330 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(先科)
SOD-123
¥0.049
145347
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@1.5V,稳压值(范围):4.998V~5.202V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.102
40613
正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A,反向电流(Ir):100uA@60V
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.173
2644889
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.0745
181368
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.51
70226
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):360 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.0187
218149
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123FL
¥0.01809
157238
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.0336
343170
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@11V,稳压值(范围):14.25V~15.75V
LRC(乐山无线电)
SOD-523
¥0.0354
1530893
正向压降(Vf):600mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):1uA
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.10608
142866
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
Nexperia(安世)
SOT-323
¥0.044
2766347
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
SHIKUES(时科)
SOD-523
¥0.0699
266572
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):490mV@500mA,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:500mA
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.2299
237996
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
华轩阳
LL-34
¥0.0203
164824
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):4.7V,反向电流(Ir):500nA@1V,稳压值(范围):4.4V~5V
MCC(美微科)
SOD-123
¥0.024057
4525430
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
TWGMC(台湾迪嘉)
SOT-23
¥0.02881
231606
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.03689
63008
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A
YFW(佑风微)
SOD-323
¥0.0831
40290
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
MSKSEMI(美森科)
SOD-123FL
¥0.01653
201181
正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):1uA@1000V
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-523
¥0.03141
280386
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.1011
608217
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SC-90,SOD-323F
¥0.104
359791
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LIZ(丽智)
1206
¥0.0417
878988
正向压降(Vf):1.25V@100mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):400mW
ST(意法半导体)
SOD-323
¥0.13387
499434
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):23 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SOD-123FL
¥0.0685
51385
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
MDD(辰达行)
DO-41
¥0.0583
162621
正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.0786
1186359
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,工作结温范围:-55℃~+125℃
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.02652
100706
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2.0V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
Kyocera(京瓷)/AVX
0805
¥0.8722
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TECH PUBLIC(台舟)
SOD-123
¥0.0561
73827
正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1mA@40V
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.074
251558
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):300mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.0935
678070
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 10.5 V
onsemi(安森美)
DO-35
¥0.0403
272105
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
MDD(辰达行)
DO-41
¥0.0526
38325
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@50V
ST(先科)
SOD-323
¥0.0279
1638484
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-323-3
¥0.0565
323155
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
UMW(友台半导体)
SMB
¥0.0988
150988
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):200uA@40V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-323
¥0.036
179598
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123
¥0.03477
149587
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):15uA,稳压值(范围):3.4V~3.8V
Slkor(萨科微)
SMA(DO-214AC)
¥0.03359
201915
正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA@60V
MDD(辰达行)
SOD-123FL
¥0.065
175109
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A
onsemi(安森美)
SC-76,SOD-323
¥0.0988
189835
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V,容差:±6%,功率 - 最大值:300 mW,阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 1 V