SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.02288
347510
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
JSMSEMI(杰盛微)
SMA(DO-214AC)
¥0.022578
568346
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA@40V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-323
¥0.03203
151105
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):580mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
晶导微电子
SOD-123FL
¥0.0237
1298707
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.65V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0671
161615
正向压降(Vf):1V@250mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA,反向电流(Ir):2uA@75V
华轩阳
LL-34
¥0.0208
172686
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.6V,反向电流(Ir):2uA@1V,稳压值(范围):3.4V~3.8V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.02974
92605
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA@10.5V,稳压值(范围):13.8V~15.6V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.13208
111621
正向压降(Vf):450mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1mA@20V
Hottech(合科泰)
SOT-23
¥0.0265
232631
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.079
2697245
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
SHIKUES(时科)
SOD-523
¥0.0416
142888
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.088
704030
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):120mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.04152
349569
正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500nA
JUXING(钜兴)
TO-252
¥0.37905
7494
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.029
210154
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0713
560560
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.1 V,容差:±5%,功率 - 最大值:500 mW,阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 2 V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.03176
102309
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):5uA@1.0V,稳压值(范围):3.1V~3.5V
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.06669
43830
正向压降(Vf):900mV@3.0A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):100uA@40V
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.07259
309568
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
ST(意法半导体)
DO-41
¥0.24024
22435
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Hottech(合科泰)
SMA(DO-214AC)
¥0.0572
294266
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.1735
170959
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
YANGJIE(扬杰)
SMC(DO-214AB)
¥0.24648
23274
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.10816
143498
正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@60V
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.15246
26971
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.0193
15673345
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.0624
937420
正向压降(Vf):500mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.066
249190
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A
LRC(乐山无线电)
SOD-323HE
¥0.05304
682042
正向压降(Vf):550mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):20uA
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.081604
123811
正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A,反向电流(Ir):2uA@100V
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.1793
71965
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
GOODWORK(固得沃克)
DBS
¥0.16
60139
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1000V
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.0308
211375
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.0693
123564
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123FL
¥0.0303
240563
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
BORN(伯恩半导体)
SOD-123FL
¥0.0681
71620
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA@40V
MDD(辰达行)
TO-277
¥1.14536
6950
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):470mV@20A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:20A
晶导微电子
SOD-323
¥0.025
93904
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:300mA
ST(意法半导体)
SOD-323
¥0.188
135998
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):10 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):580 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.05623
171867
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.0429
414189
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.05294
72770
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
DIODES(美台)
SMA
¥0.1321
518255
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMA
¥0.022
904483
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
SHIKUES(时科)
SMAF
¥0.02309
436243
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0332
1912795
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
晶导微电子
SOD-123F
¥0.04493
716711
正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A,反向电流(Ir):200uA@100V
onsemi(安森美)
SOD-123FL
¥0.32
34580
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):430 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Slkor(萨科微)
SMA(DO-214AC)
¥0.09506
79613
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):100uA@40V
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.3675
37807
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)