ElecSuper(静芯)
SOD-323
¥0.01612
528453
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.06292
44439
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.1V,反向电流(Ir):2uA@2V,稳压值(范围):4.8V~5.4V
MDD(辰达行)
TO-277
¥0.555
67771
正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A,反向电流(Ir):300uA@100V
Hottech(合科泰)
SOD-123
¥0.0293
233329
正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1mA@40V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.111
2046231
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.06302
122838
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.039185
56995
正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1mA@40V
DIODES(美台)
SMA
¥0.23504
62835
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BORN(伯恩半导体)
SOD-123FL
¥0.0377
105896
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
ROHM(罗姆)
SMD1006
¥0.185
1246592
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.119889
204896
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):660 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123FL
¥0.017
234150
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
BORN(伯恩半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.032
313372
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
Nexperia(安世)
SOT-323-3
¥0.039
1257780
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):150mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.51
84370
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.0884
83963
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:3A
MDD(辰达行)
TO-277
¥0.4312
110627
正向压降(Vf):550mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A,反向电流(Ir):300uA@45V
MDD(辰达行)
SMB(DO-214AA)
¥0.1705
265309
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
Hottech(合科泰)
MBF
¥0.03621
128947
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@1kV
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.08194
108906
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
FUXINSEMI(富芯森美)
DO-201AD
¥0.216
90370
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:5A
MDD(辰达行)
SMB(DO-214AA)
¥0.1078
117445
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
onsemi(安森美)
SC-76,SOD-323
¥0.132957
212330
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 900 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
KBP
¥0.24841
109695
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:30A,反向电流(Ir):10uA@600V
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.031
2649884
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):90 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):215mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.03953
54184
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):5.6V,反向电流(Ir):1uA,稳压值(范围):5.2V~6V
Hottech(合科泰)
SOD-323
¥0.0162
973263
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.0354
214218
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):100nA@7V,稳压值(范围):9.5V~10.5V
Nexperia(安世)
SOD-523
¥0.044
849445
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
DO-41
¥0.0827
79143
正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA@40V
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.127
30066
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-23
¥0.0403
364757
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):820mV@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0409
1177081
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.06032
287894
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):10V,反向电流(Ir):200nA,稳压值(范围):9.4V~10.6V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0693
54996
二极管配置:独立式,稳压值(标称值):15V,反向电流(Ir):100nA,稳压值(范围):14.25V~15.75V
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.0825
1186913
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,工作结温范围:-55℃~+125℃
VISHAY(威世)
DO-214AC,SMA
¥0.165
4292945
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
DO-41
¥0.0491
221200
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
MDD(辰达行)
SMB(DO-214AA)
¥0.1815
217487
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
GOODWORK(固得沃克)
TO-252
¥0.405
33296
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):600mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.2864
436749
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):540 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMC(DO-214AB)
¥0.157
286952
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123FL
¥0.0946
412088
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.0418
109500
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
ST(先科)
LL-34
¥0.044
76925
稳压值(标称值):3.3V,反向电流(Ir):2uA@1V,稳压值(范围):3.1V~3.5V,耗散功率(Pd):500mW
MDD(辰达行)
R-6
¥0.3176
67400
正向压降(Vf):1V@10A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,反向电流(Ir):10uA@1kV
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123
¥0.0416
17837
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):580mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.063063
207475
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
onsemi(安森美)
SOD-123F
¥0.38
19967
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0326
1472928
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA