IMZA120R007M1HXKSA1
Infineon(英飞凌)
TO-247-4
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碳化硅场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:SiCFET(碳化硅),漏源电压(Vdss):1200 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):225A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
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Infineon(英飞凌)
TO-247-4

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IMZA120R007M1HXKSA1
INFINEON
PG-TO247-4

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 225A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 9.9 毫欧 @ 108A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5.2V @ 47mA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 220 nC @ 18 V
Vgs(最大值) +20V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 9170 nF @ 25 V
功率耗散(最大值) 750W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-4