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描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 26V

EG3012S

厂牌: EG(屹晶微)

封装: SOP-8

手册:

市场价: ￥0.54

库存量: 16780

热度:

描述: 驱动配置：半桥，负载类型：MOSFET；IGBT，灌电流(IOL)：1A，拉电流(IOH)：800mA

EG3014

厂牌: EG(屹晶微)

封装: SOP-8

手册:

市场价: ￥0.6384

库存量: 3766

热度:

描述:

SCT52240STDR

厂牌: SCT(芯洲科技)

封装: SOP-8

手册:

市场价: ￥0.774

库存量: 25718

热度:

描述: 驱动配置：低边，负载类型：MOSFET；IGBT，驱动通道数：2，灌电流(IOL)：4A

不适用于新设计

IRS2003STRPBF

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: SOP-8

手册:

市场价: ￥1.12

库存量: 72097

热度:

供应商报价 16

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V

TC4427AEOA713

厂牌: JSMSEMI(杰盛微)

封装: SOP-8

手册:

市场价: ￥1.104

库存量: 1586

热度:

供应商报价 1

描述: 驱动配置：低边，负载类型：MOSFET；IGBT，驱动通道数：2，灌电流(IOL)：2A

1EDI60I12AF

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: DSO-8

手册:

市场价: ￥4.888

库存量: 3320

热度:

描述: 负载类型：IGBT，驱动通道数：1，灌电流(IOL)：9.4A，拉电流(IOH)：10A

IXDN604SIATR

厂牌: Littelfuse(美国力特)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥4.6

库存量: 6505

热度:

供应商报价 12

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 35V

LM5106MM/NOPB

厂牌: TI(德州仪器)

封装: VSSOP-10-0.5mm

手册:

市场价: ￥2.96

库存量: 348

热度:

供应商报价 9

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 14V

1ED3124MU12HXUMA1

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: 8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

手册:

市场价: ￥10.1871

库存量: 2868

热度:

描述: 技术：磁耦合，通道数：1，电压 - 隔离：1200Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：200kV/µs，上升/下降时间（典型值）：15ns，15ns

不适用于新设计

IR2110SPBF

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: SOIC-16-300mil

手册:

市场价: ￥23.39

库存量: 71

热度:

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：3.3V ~ 20V

UCC27524DSDR

厂牌: TI(德州仪器)

封装: HVSON-8-EP(3x3)

手册:

市场价: ￥1.519

库存量: 53607

热度:

供应商报价 15

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

TC4427AVOA713

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥2.4

库存量: 53616

热度:

供应商报价 9

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

Digi-Key 停止提供

2EDF7275KXUMA1

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: TFLGA-13

手册:

市场价: ￥6

库存量: 107

热度:

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：20V

1ED3321MC12NXUMA1

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

手册:

市场价: ￥14.2064

库存量: 346

热度:

描述: 技术：磁耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：300kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：84ns，92ns

XJNG2102

厂牌: NCE(无锡新洁能)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥0.35

库存量: 6630

热度:

描述: 驱动配置：半桥，负载类型：MOSFET，灌电流(IOL)：1A，拉电流(IOH)：1A

EG12521

厂牌: EG(屹晶微)

封装: SOP-8

手册:

市场价: ￥0.5148

库存量: 19383

热度:

描述: 驱动配置：低边；高边，负载类型：MOSFET，驱动通道数：2，灌电流(IOL)：1.2A

COS4428SR

厂牌: COSINE(科山芯创)

封装: SOP-8

手册:

市场价: ￥1.08

库存量: 14869

热度:

描述: 负载类型：MOSFET，驱动通道数：2，工作电压：4.5V~25V，上升时间(tr)：11ns

不适用于新设计

IR2153PBF

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: PDIP-8

手册:

市场价: ￥2.704

库存量: 12332

热度:

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 15.6V

IR21531STRPBF

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥3.45

库存量: 45008

热度:

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 15.6V

不适用于新设计

IR2153STRPBF

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥3.6

库存量: 9415

热度:

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 15.6V

NCP51820AMNTWG

厂牌: onsemi(安森美)

封装: QFN-15(4.4x4)

手册:

市场价: ￥7.2963

库存量: 717

热度:

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：独立式，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：9V ~ 17V，电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：1A，2A

TC4420EOA713

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥3.59

库存量: 4809

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

EG2153

厂牌: EG(屹晶微)

封装: SOP-8

手册:

市场价: ￥0.86424

库存量: 13232

热度:

描述: 驱动配置：半桥，负载类型：MOSFET；IGBT，灌电流(IOL)：300mA，拉电流(IOH)：200mA

IR2184STRPBF-JSM

厂牌: JSMSEMI(杰盛微)

封装: SOP-8

手册:

市场价: ￥3.9425

库存量: 909

热度:

供应商报价 2

描述: 驱动配置：高边；低边，负载类型：MOSFET；IGBT，驱动通道数：2，灌电流(IOL)：4A

1ED3491MC12MXUMA1

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: 16-BSSOP（0.295"，7.50mm 宽）

手册:

市场价: ￥21.35

库存量: 2084

热度:

描述: 技术：磁耦合，通道数：1，电压 - 隔离：5700Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：200V/ns，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：270ns，262ns

EG2103

厂牌: EG(屹晶微)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥0.5356

库存量: 10560

热度:

描述: 负载类型：MOSFET，灌电流(IOL)：600mA，拉电流(IOH)：300mA，工作电压：10V~20V

2EDS8265H

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: SOIC-16-300mil

手册:

市场价: ￥3.432

库存量: 2782

热度:

描述: 驱动配置：半桥，负载类型：MOSFET，驱动通道数：2，灌电流(IOL)：8A

EG27325

厂牌: EG(屹晶微)

封装: SOP-8

手册:

市场价: ￥0.72696

库存量: 9358

热度:

描述: 驱动通道数：2，灌电流(IOL)：2.5A，拉电流(IOH)：2A，工作电压：2.8V~20V

IRS2005STRPBF

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

手册:

市场价: ￥1.19

库存量: 39932

热度:

供应商报价 11

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V

U2104M

厂牌: UNI-SEMI

封装: SOP-8

手册:

市场价: ￥0.424

库存量: 8375

热度:

供应商报价 2

描述: 驱动配置：半桥，负载类型：MOSFET；IGBT，驱动通道数：2，灌电流(IOL)：600mA

DGD0211CWT-7

厂牌: DIODES(美台)

封装: TSOT-25

手册:

市场价: ￥1.32

库存量: 22733

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

IRS4427STRPBF

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥2.07

库存量: 30516

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：6V ~ 20V

LTC4412ES6#TRMPBF

厂牌: ADI(亚德诺)

封装: TSOT-23-6L

手册:

市场价: ￥10.4663

库存量: 396

热度:

描述: 类型：源极选择器开关，FET 类型：P 通道，比率 - 输入:输出：2：1，内部开关：无，延迟时间 - 开启：110 µs

2EDN7524F

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: DSO-8

手册:

市场价: ￥1.13

库存量: 33760

热度:

描述: 驱动配置：低边，负载类型：MOSFET，驱动通道数：2，灌电流(IOL)：5A

IRS2186STRPBF

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥2.13

库存量: 99738

热度:

描述: 驱动配置：高压侧或低压侧，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V

TC4427EOA713

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

手册:

市场价: ￥3.4344

库存量: 34546

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

UCC27714DR

厂牌: TI(德州仪器)

封装: SOIC-14

手册:

市场价: ￥2.76273

库存量: 11686

热度:

供应商报价 15

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 18V

ZXGD3006E6TA

厂牌: DIODES(美台)

封装: SOT-23-6

手册:

市场价: ￥1.22

库存量: 12790

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，SiC MOSFET，电压 - 供电：40V（最大）

PM8834TR

厂牌: ST(意法半导体)

封装: SO-8

手册:

市场价: ￥1.34

库存量: 158187

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：5V ~ 18V

IR2106STRPBF

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥2.12

库存量: 32895

热度:

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V

MC33152DR2G

厂牌: onsemi(安森美)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥2.3504

库存量: 2835

热度:

供应商报价 14

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：6.1V ~ 18V

LM5060MMX/NOPB

厂牌: TI(德州仪器)

封装: VSSOP-10-0.5mm

手册:

市场价: ￥3.3

库存量: 4593

热度:

描述: 工作温度：-40°C ~ 125°C，安装类型：表面贴装型，封装/外壳：10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）

不适用于新设计

IR2085STRPbF

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥10.37

库存量: 26639

热度:

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 15V

IFX007TAUMA1

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: TO-263-7-1

手册:

市场价: ￥15.22

库存量: 488

热度:

描述: 输出配置：半桥，应用：DC 电机，通用，接口：PWM，负载类型：电感，技术：功率 MOSFET

JSM5109G

厂牌: JSMSEMI(杰盛微)

封装: SOP-8

手册:

市场价: ￥0.7448

库存量: 2170

热度:

供应商报价 1

描述: 驱动配置：半桥，负载类型：MOSFET，驱动通道数：2，灌电流(IOL)：1.5A

EG3113

厂牌: EG(屹晶微)

封装: SOP-8

手册:

市场价: ￥1.24

库存量: 8203

热度: