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UCC27524DSDR
TI(德州仪器)
HVSON-8-EP(3x3)
栅极驱动芯片
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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渠道
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UCC27524DSDR
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TI(德州仪器)
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HVSON-8-EP(3x3)
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1000+:￥1.519 500+:￥1.617 100+:￥1.7738 30+:￥2.18 10+:￥2.48 1+:￥3.18 |
5418 |
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UCC27524DSDR
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TI(德州仪器)
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SON-8(3x3)
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3000+:￥1.53 1+:￥1.6 |
140 |
22+
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圣禾堂
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UCC27524DSDR
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TI(德州仪器)
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WSON-8
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3000+:￥1.56165 1000+:￥1.59065 500+:￥1.61965 100+:￥1.6472 10+:￥1.748 |
30000 |
25+
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现货
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硬之城
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UCC27524DSDR
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TI(德州仪器)
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HVSON-8-EP(3x3)
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3000+:￥1.5912 1+:￥1.664 |
127 |
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硬之城
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TI(德州仪器)
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WSON8_3X3MM_EP
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30+:￥1.6675 10+:￥1.6965 1+:￥1.8415 |
100 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 驱动配置 | 低端 |
| 通道类型 | 独立式 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | IGBT，N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电 | 4.5V ~ 18V |
| 逻辑电压\xa0- VIL，VIH | 1V，2.3V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 5A，5A |
| 输入类型 | 非反相 |
| 上升/下降时间（典型值） | 7ns，6ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 140°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:United States;Japan |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Richardson, US;Miho, JP |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:China;Malaysia;Philippines External:China;Thailand |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Chengdu, CN;Melaka, MY;Angeles City, PH External:3 |