咨询/建议
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：9V ~ 14V
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.3V ~ 6.8V
输出配置：半桥（4），应用：DC 电机，通用，螺线管，步进电机，接口：模拟，逻辑，PWM，负载类型：电感，电容性，电阻，技术：功率 MOSFET
输出配置：半桥（4），应用：DC 电机，通用，螺线管，步进电机，接口：模拟，逻辑，PWM，负载类型：电感，电容性，电阻，技术：功率 MOSFET
电机类型 - 步进：双极性，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：逻辑，技术：功率 MOSFET
电机类型 - 步进：双极性，电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：并联
电机类型 - 步进：双极性，电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：并联
电机类型 - 步进：多相，电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：前置驱动器 - 半桥（3），接口：SPI
电机类型 - AC，DC：ERM，LRA，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：I²C，技术：功率 MOSFET
电机类型 - AC，DC：音圈电机，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：I²C，技术：功率 MOSFET
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 20V
不适用于新设计
电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），有刷直流，功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：前置驱动器 - 半桥（3），接口：并联，技术：功率 MOSFET
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：3，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 16V
驱动配置：低边，负载类型：MOSFET；IGBT，工作电压：4.5V~24V，上升时间(tr)：8ns
负载类型：MOSFET，工作电压：4.4V~13.2V，下降时间(tf)：12ns，工作温度：-40℃~+85℃
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：9V ~ 14V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 17V
开关类型：负载开关，输出数：1，比率 - 输入:输出：1：1，输出配置：高端，输出类型：N 通道
Digi-Key 停止提供
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：前置驱动器 - 半桥（3），接口：SPI，技术：功率 MOSFET
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：9V ~ 14V
电机类型 - 步进：多相，电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：驱动器，输出配置：半桥（3），接口：PWM，串行
电机类型 - 步进：双极性，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：逻辑，技术：功率 MOSFET
电机类型 - 步进：双极性，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：并联，技术：DMOS
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：5.5V ~ 16V
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：1.8V ~ 5.5V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 17V
电机类型 - 步进：多相，电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：前置驱动器 - 半桥（3），接口：硬件
负载类型：MOSFET，灌电流(IOL)：2A，拉电流(IOH)：2A，工作电压：4.5V~8V
停产
电机类型 - AC，DC：AC，同步，功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：前置驱动器 - 半桥（3），接口：I²C，RS-232，SPI，技术：IGBT
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
技术：MOSFET（金属氧化物），配置：2 个 N 通道（半桥），漏源电压（Vdss）：60V，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.1 毫欧 @ 30A，10V，不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 28V
电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：前置驱动器 - 半桥（3），接口：SPI，技术：NMOS
输出配置：半桥（6），应用：DC 电机，通用，接口：逻辑，PWM，SPI，负载类型：电感，电容性，电阻，技术：MOSFET（金属氧化物）
输出配置：半桥（2），应用：DC 电机，通用，接口：逻辑，负载类型：电感，电容性，导通电阻（典型值）：800 毫欧 LS，800 毫欧 HS
最后售卖
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：12V ~ 20V
电机类型 - 步进：双极性，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：前置驱动器 - 半桥（4），接口：并联，技术：DMOS
不适用于新设计
电机类型 - 步进：双极性，电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：前置驱动器 - 半桥（4），接口：PWM
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.7V ~ 18V
电机类型 - 步进：双极性，电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：并联
电机类型 - AC，DC：ERM，LRA，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：I²C，技术：功率 MOSFET
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：高端，通道类型：3 相，驱动器数：3，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 50V
技术：容性耦合，通道数：2，电压 - 隔离：5000Vrms，共模瞬变抗扰度（最小值）：20kV/µs，传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：60ns，60ns