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停产
驱动配置：高端，通道类型：3 相，驱动器数：3，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：11.5V ~ 20V
不适用于新设计
输出配置：半桥（3），应用：AC 电机，接口：逻辑，负载类型：电感，技术：功率 MOSFET
不适用于新设计
输出配置：半桥（13），应用：DC 电机，通用，接口：逻辑，负载类型：电感，技术：功率 MOSFET
不适用于新设计
电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（17），接口：SPI，并联，技术：功率 MOSFET
不适用于新设计
输出配置：半桥（17），应用：DC 电机，通用，接口：逻辑，负载类型：电感，技术：功率 MOSFET
不适用于新设计
输出配置：半桥（13），应用：DC 电机，通用，接口：逻辑，负载类型：电感，技术：功率 MOSFET
不适用于新设计
电机类型 - 步进：双极性，电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：PWM
停产
电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（3），接口：并联，技术：功率 MOSFET
不适用于新设计
电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（3），接口：并联，技术：DMOS
不适用于新设计
电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：PWM，技术：功率 MOSFET
电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：PWM，技术：DMOS
电机类型 - 步进：双极性，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：串行，技术：DMOS
电机类型 - 步进：双极性，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：并联，技术：DMOS
不适用于新设计
输出配置：半桥（2），应用：DC 电机，通用，接口：逻辑，负载类型：电感，技术：功率 MOSFET
电机类型 - 步进：双极性，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：并联，技术：DMOS
电机类型 - 步进：双极性，电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：PWM
电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：前置驱动器 - 半桥（3），接口：逻辑，技术：功率 MOSFET
不适用于新设计
电机类型 - 步进：多相，电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：前置驱动器 - 半桥（3），接口：PWM
电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器，输出配置：前置驱动器 - 半桥（2），接口：PWM，技术：DMOS
停产
输出配置：半桥（8），应用：DC 电机，通用，稳压器，接口：逻辑，负载类型：电感，技术：双极性
停产
输出配置：半桥（8），应用：DC 电机，通用，稳压器，接口：逻辑，负载类型：电感，技术：双极性
停产
电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（3），接口：并联，技术：双极性
不适用于新设计
电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：开/关，技术：双极性
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 15V
灌电流(IOL)：8A，拉电流(IOH)：4A，上升时间(tr)：6.5ns，下降时间(tf)：4.5ns
负载类型：IGBT，灌电流(IOL)：2.4A，拉电流(IOH)：2.4A，工作电压：13V~20V
电机类型 - 步进：双极性，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：并联，技术：功率 MOSFET
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 14V
输出配置：半桥，应用：通用，接口：模拟，逻辑，PWM，负载类型：电感，电容性，技术：DrMOS
输出配置：半桥（2），应用：通用，接口：SPI，负载类型：电感，电容性，电阻，技术：PMOS
电机类型 - 步进：双极性，电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：SPI
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 17V
电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：前置驱动器 - 半桥（3），接口：模拟，应用：通用
不适用于新设计
电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：开/关，技术：Bi-CMOS
电机类型 - 步进：双极性，电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：I²C
驱动配置：低边，工作电压：4.5V~18V，下降时间(tf)：7ns，工作温度：-40℃~+125℃
输出电流：800mA，导通电阻：1Ω，工作温度：-20℃~+105℃
电机类型 - 步进：双极性，电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：并联
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.7V ~ 15V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.25V ~ 15V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 15V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 15V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 15V
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：5.5V ~ 16V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 12.6V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 12.6V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：9V ~ 14V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：9V ~ 14V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：9V ~ 14V