不适用于新设计
Infineon(英飞凌)
TO-263-7
¥9.9
12756
输出配置:半桥,应用:DC 电机,通用,接口:逻辑,负载类型:电感,技术:DMOS
TI(德州仪器)
VQFN-24(4x4)
¥5.4
0
电机类型 - AC,DC:有刷直流,功能:控制器 - 电流管理,输出配置:前置驱动器 - 半桥(2),接口:并联,技术:功率 MOSFET
Mixic(中科芯亿达)
SOP-8
¥0.35
51921
峰值电流:2.5A,工作电压:3V~9V,静态电流(Iq):100nA,工作温度:-20℃~+80℃
TOSHIBA(东芝)
VQFN-48-EP(7x7)
¥4.42
26930
控制电压:4.75V~5.25V,电机驱动电压(Vm):10V~47V,输出电流:3A,驱动类型:双极驱动
JSMSEMI(杰盛微)
SOIC-8
¥1.1
18192
驱动配置:高边;低边,负载类型:MOSFET,驱动通道数:2,灌电流(IOL):600mA
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥1.05
102167
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:8V ~ 14V
JSMSEMI(杰盛微)
ESOP-8
¥1.096
17459
峰值电流:5A,导通电阻:500mΩ,工作温度:-40℃~+125℃
ADI(亚德诺)
HTSSOP-28
¥10.5
721
电机类型 - 步进:双极性,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:步进/方向,接口:步进/方向,UART,技术:功率 MOSFET
Infineon(英飞凌)
SOIC-8
¥1.9109
34452
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
JSMSEMI(杰盛微)
TSSOP-20
¥1.25
20753
驱动配置:低边;高边,负载类型:MOSFET,灌电流(IOL):1.5A,拉电流(IOH):1.8A
TI(德州仪器)
SOT-23-6
¥1.36
16550
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
EG(屹晶微)
SOP-8
¥0.52416
25261
驱动配置:半桥,负载类型:MOSFET;IGBT,灌电流(IOL):1A,拉电流(IOH):800mA
COSINE(科山芯创)
SOP-8
¥1.08
31251
负载类型:MOSFET,驱动通道数:2,灌电流(IOL):1.5A,拉电流(IOH):1.5A
EG(屹晶微)
SOT-23-5
¥0.441
8666
驱动配置:低边,负载类型:MOSFET;IGBT,驱动通道数:1,灌电流(IOL):2A
ST(意法半导体)
MultiwAtt-15
¥10.95
6001
输出配置:半桥(4),应用:DC 电机,继电器,螺线管,步进电机,接口:逻辑,负载类型:电感,技术:双极性
UMW(友台半导体)
SOP-8
¥0.268
40222
电机类型 - 步进:双极性,电机类型 - AC,DC:无刷 DC(BLDC),功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,技术:CMOS,应用:通用
EG(屹晶微)
SOP-8
¥1.4112
71999
驱动配置:低边;高边,负载类型:MOSFET;IGBT,驱动通道数:2,灌电流(IOL):2.5A
ADI(亚德诺)
TQFP-48-EP(7x7)
¥22.6
3870
电机类型 - 步进:双极性,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(4),接口:SPI,步进/方向,RS-232,技术:功率 MOSFET
TI(德州仪器)
HTSSOP-16-EP
¥1.86
35044
电机类型 - 步进:单极,电机类型 - AC,DC:有刷直流,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(2),接口:PWM
ADI(亚德诺)
TSOT-23-6
¥10.3
11698
类型:源极选择器开关,FET 类型:P 通道,比率 - 输入:输出:2:1,内部开关:无,延迟时间 - 开启:110 µs
JSMSEMI(杰盛微)
SOP-8
¥0.755
22779
驱动配置:高边;低边,负载类型:MOSFET,驱动通道数:2,灌电流(IOL):600mA
TI(德州仪器)
VSSOP-10-0.5mm
¥1.64781
9192
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:8V ~ 14V
TI(德州仪器)
VQFN-24(4x4)
¥3.13
2555
驱动配置:高压侧和低压侧,通道类型:3 相,驱动器数:3,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:5V ~ 20V
ADI(亚德诺)
QFN-28-EP(5x5)
¥9.98
6054
电机类型 - 步进:双极性,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:步进/方向,接口:步进/方向,UART,技术:功率 MOSFET
ADI(亚德诺)
HTSSOP-28
¥7.644
12813
电机类型 - 步进:双极性,电机类型 - AC,DC:通用,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:SPI,步进/方向,接口:SPI,步进/方向,UART
Infineon(英飞凌)
SOIC-8
¥2.912
59498
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
JSMSEMI(杰盛微)
SOP-8
¥0.86
15584
输出电流:3A,峰值电流:5A,导通电阻:500mΩ,工作温度:-40℃~+125℃
TI(德州仪器)
HTSSOP-16-EP
¥2.4
38899
电机类型 - 步进:单极,电机类型 - AC,DC:有刷直流,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:低端(4),接口:并联
杭州中科微
HTSSOP-16
¥0.7694
16390
电机驱动电压(Vm):2.7V~15V,输出电流:1A,H桥数量:2,驱动类型:双极驱动
TI(德州仪器)
VQFN-24-EP(4x4)
¥2.9997
33182
电机类型 - AC,DC:有刷直流,功能:控制器 - 电流管理,输出配置:前置驱动器 - 半桥(2),接口:PWM,技术:功率 MOSFET
UNI-SEMI
TSSOP-20
¥1.25
4967
驱动配置:三相,负载类型:MOSFET;IGBT,驱动通道数:6,灌电流(IOL):1A
UMW(友台半导体)
SOT-26
¥0.354
48964
工作电压:2.5V~5.5V,工作温度:-40℃~+125℃
RENESAS(瑞萨)
SOIC-16
¥3.5618
34859
输出配置:半桥,全桥,应用:DC 电机,通用,接口:逻辑,PWM,负载类型:容性和阻性,技术:N 沟道 MOSFET
MICROCHIP(美国微芯)
MSOP-8
¥7.1676
343
功能:风扇控制,接口:PWM,应用:网络和通信,电压 - 供电:3V ~ 3.6V,工作温度:-40°C ~ 125°C
TI(德州仪器)
HTSSOP-56-6mm
¥8.75
32656
电机类型 - AC,DC:无刷 DC(BLDC),功能:控制器 - 换向,方向管理,输出配置:前置驱动器 - 半桥(3),接口:SPI,技术:功率 MOSFET
BL(上海贝岭)
SOT-23-6
¥0.3136
50271
工作电压:5V~36V,峰值电流:500mA,导通电阻:12Ω,工作温度:-40℃~+85℃
TI(德州仪器)
WSON-12-EP(2x3)
¥2.184
13751
电机类型 - 步进:双极性,电机类型 - AC,DC:有刷直流,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(4),接口:并联
MSKSEMI(美森科)
SOP-8-EP
¥1.387
3733
峰值电流:3.5A,导通电阻:600mΩ,工作温度:-40℃~+85℃
EG(屹晶微)
SOT-23-5
¥0.509
15779
驱动配置:低边,负载类型:MOSFET;IGBT,驱动通道数:1,灌电流(IOL):4A
Fortior Tech(峰岹)
SO-8
¥0.95
23632
驱动配置:半桥,负载类型:MOSFET,灌电流(IOL):2.3A,拉电流(IOH):1.6A
TI(德州仪器)
HSOP-8-EP
¥2.9403
12371
电机类型 - 步进:单极,电机类型 - AC,DC:有刷直流,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(2),接口:PWM
ADI(亚德诺)
QFN-28-EP(5x5)
¥8.72
15669
电机类型 - 步进:双极性,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(4),接口:逻辑,UART,技术:功率 MOSFET
JSMSEMI(杰盛微)
ESOP-8
¥0.902
6360
集成FET:是,峰值电流:3.5A,工作电压:8V~38V,导通电阻:600mΩ
TMI(拓尔微)
ESOP-8
¥0.87
59994
集成FET:是,H桥数量:1,峰值电流:3.6A,静态电流(Iq):1uA
Infineon(英飞凌)
SOIC-28-300mil
¥2.6
33005
驱动配置:半桥,通道类型:3 相,驱动器数:6,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
Infineon(英飞凌)
SOIC-16-300mil
¥3.33
69248
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:3.3V ~ 20V
HGSEMI(华冠)
Multiwatt-15
¥6.9
4274
H桥数量:2,工作温度:-25℃~+130℃
TI(德州仪器)
WQFN-19-EP(3x4)
¥13.5
3265
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.75V ~ 5.25V,6V ~ 18V
DIODES(美台)
SOT-26
¥1.6848
9157
类型:N+1 ORing 控制器,FET 类型:N 通道,比率 - 输入:输出:1:1,内部开关:无,延迟时间 - 开启:1.4 µs
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8
¥2.89
22166
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V