咨询/建议
CSD88599Q5DCT
TI(德州仪器)
22-PowerTFDFN
栅极驱动芯片
技术：MOSFET（金属氧化物），配置：2 个 N 通道（半桥），漏源电压（Vdss）：60V，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.1 毫欧 @ 30A，10V，不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
CSD88599Q5DCT
|
TI(德州仪器)
|
SON-22(5x6)
|
30+:￥14.33 10+:￥14.56 1+:￥14.91 |
40 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
CSD88599Q5DCT
|
Texas Instruments
|
SON
|
1000+:￥64.68 200+:￥66.4125 10+:￥68.145 |
135 |
-
|
10-12工作日
|
云汉芯城
|
|
CSD88599Q5DCT
|
德州仪器(TI)
|
SON-22(5x6)
|
100+:￥58.6933 30+:￥70.432 10+:￥88.04 1+:￥105.6479 |
0 |
-
|
油柑网
|
|
|
CSD88599Q5DCT
|
TI(德州仪器)
|
SON-22
|
1000+:￥89.28 500+:￥98.24 200+:￥108.92 1+:￥126.46 |
0 |
19+/20+
|
在芯间
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 配置 | 2 个 N 通道（半桥） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.1 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 27nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4840pF @ 30V |
| 功率 - 最大值 | 12W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 22-PowerTFDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China;Japan |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN;Aizuwakamatsu, JP |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:Philippines External:Philippines;Thailand |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Angeles City, PH External:2 |