咨询/建议
负载类型：MOSFET；IGBT，灌电流(IOL)：4A，拉电流(IOH)：4A，工作电压：5V~20V
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 5.5V
电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：驱动器，输出配置：半桥（4），接口：逻辑，技术：功率 MOSFET
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 35V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
电机类型 - 步进：双极性，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：并联，技术：DMOS
输出配置：半桥，应用：同步降压转换器，接口：PWM，负载类型：电感，电容性，技术：功率 MOSFET
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 32V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：半桥，负载类型：MOSFET，驱动通道数：6，灌电流(IOL)：350mA
不适用于新设计
输出配置：半桥（2），应用：DC 电机，通用，继电器，接口：逻辑，负载类型：电感，电容性，电阻，技术：功率 MOSFET
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：17V（最大）
电机类型 - 步进：单极，电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：低端（4），接口：SPI
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 5.5V
电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：前置驱动器 - 半桥（2），接口：PWM，技术：功率 MOSFET
电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：开/关，技术：功率 MOSFET
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
停产
模式：临界传导（CRM），电流 - 启动：60 µA，电压 - 供电：10.5V ~ 20.8V，工作温度：-40°C ~ 125°C，安装类型：表面贴装型
电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：PWM，技术：功率 MOSFET
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 15V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 20V
电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：控制器 - 速度，输出配置：前置驱动器 - 半桥（2），接口：PWM，应用：风扇控制器
电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：驱动器，输出配置：前置驱动器 - 半桥（3），接口：逻辑，技术：功率 MOSFET
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
电机驱动电压(Vm)：8V~36V，输出电流：1.75A，导通电阻：240mΩ，工作温度：-40℃~+150℃
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：并联，技术：Bi-CMOS
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
最后售卖
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 32V
驱动配置：全桥，工作电压：3V~5.5V，特性：欠压保护(UVP)；短路保护(SCP)；过热保护(OPT)；过压保护(OVP)，工作温度：-40℃~+85℃
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
驱动配置：半桥，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
最后售卖
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 5.5V