咨询/建议
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：0V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 14V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 32V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 20V
不适用于新设计
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 20V
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 8.8V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
电机类型 - 步进：双极性，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：逻辑，技术：功率 MOSFET
驱动配置：高压侧或低压侧，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 15V
电机类型 - 步进：多相，电机类型 - AC，DC：无刷 DC（BLDC），功能：控制器 - 换向，方向管理，输出配置：半桥（3），接口：模拟，I²C，PWM
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：6.5V ~ 18V
电机类型 - 步进：双极性，电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：并联
停产
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，SiC MOSFET，电压 - 供电：20V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 16V
最后售卖
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
输出配置：半桥（3），应用：DC 电机，通用，接口：SPI，负载类型：电感，技术：功率 MOSFET
电机类型 - 步进：双极性，电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：逻辑
不适用于新设计
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，电压 - 供电：10V ~ 25V
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：12.5V ~ 20V
电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：并联，技术：功率 MOSFET
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：11V ~ 20V
驱动配置：低端，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 15V
电机类型 - 步进：双极性，电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：PWM
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 20V
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
电机类型 - 步进：双极性，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：并联，技术：DMOS
电机类型 - 步进：双极性，电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：PWM
驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：12.5V ~ 20V
电压 - 供电：3V ~ 5.5V，工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ），安装类型：表面贴装，可润湿侧翼，封装/外壳：32-VFQFN 裸露焊盘
电机类型 - 步进：双极性，电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（4），接口：并联
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 12.6V
驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 16V
最后售卖
驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：4，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 5.5V
电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：半桥（2），接口：并联，技术：DMOS