Fortior Tech(峰岹)
QFN-56(7x7)
¥6.95
8241
集成FET:是,工作电压:5V~24V,接口类型:UART;SPI;I2C
Fortior Tech(峰岹)
QFN-40-EP(5x5)
¥8.37
1
工作电压:5V~24V,接口类型:UART;SPI;I2C
TI(德州仪器)
MSOP-10-EP
¥7.5341
2661
电机类型 - 步进:双极性,电机类型 - AC,DC:有刷直流,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(2),接口:I²C
ALLEGRO(美国埃戈罗)
TSSOP-24-EP
¥7.61
5283
电机类型 - 步进:双极性,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(4),接口:逻辑,技术:DMOS
ROHM(罗姆)
SOP-8
¥2.88
11273
输出配置:半桥(2),应用:DC 电机,通用,接口:逻辑,负载类型:电感,技术:功率 MOSFET
ST(意法半导体)
SO-14
¥8.5653
2076
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V,逻辑电压 - VIL,VIH:1.45V,2V
onsemi(安森美)
QFN-15(4.4x4)
¥9.48
100
驱动配置:半桥,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:9V ~ 17V
ST(意法半导体)
SO-8
¥9.7711
77
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 16.6V
Infineon(英飞凌)
DSO-8
¥11.63
91
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
不适用于新设计
Infineon(英飞凌)
PDIP-8
¥11.27
4
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 15.6V
MICROCHIP(美国微芯)
PDIP-8
¥12
5
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
ST(意法半导体)
SO-14
¥12.26
1
驱动配置:高端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:12V ~ 26V
ROHM(罗姆)
SOP-8
¥9.35
2817
电机类型 - AC,DC:有刷直流,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(2),接口:开/关,技术:功率 MOSFET
TI(德州仪器)
VQFN-24-EP(4x4)
¥12.53
1079
电机类型 - 步进:双极性,电机类型 - AC,DC:有刷直流,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(2),接口:步进/方向
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥12.8524
0
驱动配置:低端,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4V ~ 14V
MICROCHIP(美国微芯)
TQFN-12-EP(4x4)
¥16.4
62
功能:风扇控制,接口:PWM,应用:网络和通信,电压 - 供电:3V ~ 3.6V,工作温度:-40°C ~ 125°C
TI(德州仪器)
SOT-23-6
¥14.85
77
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4V ~ 12.6V
TI(德州仪器)
VQFN-40-EP(6x6)
¥12.73
4
驱动配置:高压侧或低压侧,通道类型:3 相,驱动器数:3,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:6V ~ 38V
TI(德州仪器)
VQFN-40-EP(6x6)
¥15.92
128
电机类型 - 步进:多相,电机类型 - AC,DC:无刷 DC(BLDC),功能:控制器 - 换向,方向管理,输出配置:前置驱动器 - 半桥(3),接口:SPI
TI(德州仪器)
WQFN-40-EP(6x6)
¥18.44
91
电机类型 - 步进:多相,电机类型 - AC,DC:无刷 DC(BLDC),功能:控制器 - 换向,方向管理,输出配置:前置驱动器 - 半桥(3),接口:SPI
TI(德州仪器)
VQFN-32-EP(8x8)
¥21.52
33
开关类型:负载开关,输出数:1,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:高端,输出类型:N 通道
MICROCHIP(美国微芯)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥18.8272
0
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
ADI(亚德诺)
TSOT-23-6L
¥21.429
59
驱动配置:高端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4V ~ 15V
TI(德州仪器)
SOIC-8-EP
¥20.04
1335
开关类型:继电器,螺线管驱动器,输出数:1,比率 - 输入:输出:1:1,输出配置:低端,输出类型:N 通道
Littelfuse(美国力特)
SOIC-8
¥25.77
87
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 35V
TI(德州仪器)
SOIC-8-EP
¥6.88
2619
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:8V ~ 17V
Littelfuse(美国力特)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘
¥15.84
1792
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 35V
ADI(亚德诺)
LQFP-32-EP(5x5)
¥21.57
714
电机类型 - 步进:双极性,电机类型 - AC,DC:通用,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(4),接口:SPI,步进/方向
Infineon(英飞凌)
SOIC-28-300mil
¥24.5
9073
驱动配置:半桥,通道类型:3 相,驱动器数:6,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
TI(德州仪器)
VQFN-40(5x7)
¥22.8226
781
电机类型 - 步进:多相,电机类型 - AC,DC:无刷 DC(BLDC),功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(3),接口:硬件
Digi-Key 停止提供
ADI(亚德诺)
37-VFQFN 裸露焊盘
¥23.6082
142
驱动配置:半桥,通道类型:3 相,驱动器数:6,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 60V
TI(德州仪器)
PDIP-8
¥28.5467
2
驱动配置:低端,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.75V ~ 5.25V,4.75V ~ 24V
ST(意法半导体)
SO-20-300mil
¥25.0494
957
输出配置:半桥(2),应用:DC 电机,通用,接口:逻辑,负载类型:电感,技术:BCDMOS
ADI(亚德诺)
PQFP-44(10x10)
¥29.9
852
电机类型 - 步进:双极性,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(4),接口:SPI,步进/方向,技术:功率 MOSFET
ADI(亚德诺)
QFN-32(5x5)
¥40.56
18
电机类型 - 步进:双极性,功能:控制器 - 换向,方向管理,输出配置:前置驱动器 - 半桥(4),接口:SPI,步进/方向,技术:功率 MOSFET
ST(意法半导体)
BSSOP-36-EP-11mm
¥33.95
33
电机类型 - 步进:双极性,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(4),接口:SPI,技术:DMOS
Littelfuse(美国力特)
TO-263-5
¥37.29
137
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:12.5V ~ 35V
MORNSUN(金升阳)
SIP-13
¥43.5
51
负载类型:IGBT,工作电压:14.5V~15.5V,上升时间(tr):300ns,下降时间(tf):300ns
TI(德州仪器)
QFN-9(6x8)
¥54.45
188
输出配置:半桥,应用:同步降压转换器,接口:逻辑,负载类型:电感,技术:NMOS
IDCHIP(英锐芯)
SOP-8
¥0.170422
3390
集成FET:是,输出电流:200mA,峰值电流:500mA,工作电压:4.5V~18V
MSKSEMI(美森科)
SOT-23-6
¥0.31905
2800
集成FET:是,H桥数量:1,峰值电流:2.5A,导通电阻:550mΩ
MORNSUN(金升阳)
SOT-23-G
¥0.3859
805
工作电压:3V~24V,峰值电流:50mA,导通电阻:1.68Ω,工作温度:-40℃~+125℃
JSMSEMI(杰盛微)
SOP-8
¥0.667
78
驱动配置:半桥,负载类型:MOSFET,驱动通道数:2,灌电流(IOL):600mA
TMI(拓尔微)
SOT-23-6
¥0.1612
5174
峰值电流:2A,工作电压:1.6V~7.2V,导通电阻:550mΩ,静态电流(Iq):100nA
Siproin(上海矽朋)
SOP-8
¥1.243
610
通道数:2,工作电压:5V~24V,输出电流:400mA,峰值电流:800mA
UTC(友顺)
SOP-8
¥1.151
2100
工作电压:9.3V~26V,特性:过压保护(OVP),工作温度:-40℃~+70℃
JSMSEMI(杰盛微)
SOP-8
¥0.8829
475
驱动配置:半桥,负载类型:MOSFET,驱动通道数:2,灌电流(IOL):1.5A
JSMSEMI(杰盛微)
SOP-8
¥1.414
4188
驱动配置:半桥,负载类型:MOSFET;IGBT,驱动通道数:2,灌电流(IOL):600mA
EG(屹晶微)
SOP-8-4.2mm
¥2.01
47
负载类型:MOSFET;IGBT,工作电压:8V~20V,下降时间(tf):80ns,工作温度:-45℃~+125℃
JSMSEMI(杰盛微)
SOIC-8
¥1.211
569
驱动配置:低边,负载类型:MOSFET;IGBT,驱动通道数:2,灌电流(IOL):2A