L6491DTR
ST(意法半导体)
SO-14
¥8.5653
2,077
栅极驱动芯片
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V,逻辑电压 - VIL,VIH:1.45V,2V
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L6491DTR
ST(意法半导体)
SO-14

1000+:¥8.5653

500+:¥8.6769

100+:¥8.9466

30+:¥10.26

10+:¥10.89

1+:¥11.9

2077

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L6491DTR
意法半导体(ST)
SO-14

1000+:¥18.0

500+:¥20.7

100+:¥22.5

30+:¥25.2

10+:¥30.6

1+:¥36.0

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