咨询/建议
DRV8304SRHAR
TI(德州仪器)
VQFN-40-EP(6x6)
栅极驱动芯片
驱动配置：高压侧或低压侧，通道类型：3 相，驱动器数：3，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：6V ~ 38V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
DRV8304SRHAR
|
TI(德州仪器)
|
VQFN-40-EP(6x6)
|
30+:￥12.73 10+:￥12.94 1+:￥13.25 |
2 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
DRV8304SRHAR
|
TI(德州仪器)
|
VQFN-40(6x6)
|
1000+:￥15.07 500+:￥15.07 200+:￥16.78 1+:￥19.67 |
2 |
19+/20+
|
在芯间
|
|
|
DRV8304SRHAR
|
德州仪器(TI)
|
VQFN-40-EP(6x6)
|
1000+:￥22.8667 500+:￥27.44 200+:￥34.3001 1+:￥41.1601 |
0 |
-
|
油柑网
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 驱动配置 | 高压侧或低压侧 |
| 通道类型 | 3 相 |
| 驱动器数 | 3 |
| 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电 | 6V ~ 38V |
| 逻辑电压\xa0- VIL，VIH | 0.8V，1.5V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 150mA，300mA |
| 输入类型 | 非反相 |
| 上升/下降时间（典型值） | 300ns，150ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 40-VFQFN 裸露焊盘 |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:United States |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Dallas, US;Richardson, US |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:China;Malaysia;Philippines External:China;Thailand |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Chengdu, CN;Melaka, MY;Angeles City, PH External:4 |