咨询/建议
晶振类型：贴片晶振，频率：11.0592MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：27MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：10pF
晶振类型：贴片晶振，频率：27.12MHz，常温频差：±30ppm，负载电容：20pF
频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：7pF，工作温度：-40℃~+125℃
晶振类型：贴片晶振，频率：12MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：10pF
晶振类型：贴片晶振，频率：8MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
频率：8.192MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF，频率稳定度：±20ppm
晶振类型：贴片晶振，频率：26MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
类型：MHz 晶体，频率：24 MHz，频率稳定性：±35ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：8pF
类型：MHz 晶体，频率：25 MHz，频率稳定性：±20ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：6pF
类型：MHz 晶体，频率：6 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：18pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12.5pF
频率：24MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：37.125MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：45.1584MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：24MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：20MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：37.125MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：5.5296MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：27MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：12MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：25MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：3.3V
频率：66MHz，工作电压：3.3V，工作电流：20mA，频率稳定度：±50ppm
频率：24MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
频率：5.5296MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS，工作温度：-40℃~+85℃
频率：20MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
类型：MHz 晶体，频率：25 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
频率：100MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：3.3V
频率：38.4MHz，频率稳定度：±1.5ppm，工作电压：2.8V，工作电流：2mA