咨询/建议
晶振类型：贴片晶振，频率：24MHz，常温频差：±30ppm，负载电容：20pF
频率：33.3333MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：10MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：33.33MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：30MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：48MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：48MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：10MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：30MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：2.048MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：64MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：33.333333MHz，工作电压：3.3V，频率稳定度：±25ppm，工作温度：-40℃~+85℃
频率：7.68MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12.5pF
类型：MHz 晶体，频率：25 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
频率：12MHz，频率稳定度：±20ppm，输出模式：HCMOS；LVCMOS，工作电压：2.25V~3.63V
频率：50MHz，频率稳定度：±15ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+85℃
频率：100MHz，工作电压：3.3V，频率稳定度：±50ppm，工作温度：-40℃~+85℃
频率：200MHz，工作电压：3.3V，频率稳定度：±25ppm，工作温度：-40℃~+85℃
频率：125MHz，工作电压：3.3V，频率稳定度：±25ppm，工作温度：-40℃~+85℃
晶振类型：贴片晶振，频率：24.576MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12pF
频率：14.318MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF，频率稳定度：±30ppm
晶振类型：贴片晶振，频率：13.52313MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：27.1412MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：16MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：9pF
晶振类型：贴片晶振，频率：12.8MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF