咨询/建议
晶振类型：贴片晶振，频率：25MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：10pF
晶振类型：贴片晶振，频率：12MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12pF
类型：陶瓷，频率：6 MHz，频率稳定性：±0.2%，频率容差：±0.5%，特性：内置电容
晶振类型：贴片晶振，频率：12.288MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
频率：25MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：18pF，等效串联电阻(ESR)：40Ω
晶振类型：贴片晶振，频率：16MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
晶振类型：贴片晶振，频率：25MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12pF
晶振类型：贴片晶振，频率：16MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
类型：MHz 晶体，频率：27.12 MHz，频率稳定性：±20ppm，频率容差：±30ppm，负载电容：6pF
晶振类型：贴片晶振，频率：11.0592MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：18.432MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：13.56MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12pF
晶振类型：贴片晶振，频率：25MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：10pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12.5pF
频率：24MHz，频率稳定度：±100ppm，工作电压：2.7V~3.6V，工作温度：-40℃~+85℃
频率：32.768kHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：1.8V~3.3V
晶振类型：贴片晶振，频率：14.7456MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
类型：MHz 晶体，频率：16 MHz，频率稳定性：±150ppm，频率容差：±50ppm，负载电容：8pF
晶振类型：贴片晶振，频率：8.192MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
频率：12MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：18.432MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
晶振类型：贴片晶振，频率：27MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：8pF
频率：26MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：14.31818MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V