咨询/建议
频率：12MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
类型：MHz 晶体，频率：24 MHz，频率稳定性：±15ppm，频率容差：±10ppm，负载电容：9pF
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±10ppm，负载电容：6pF，ESR（等效串联电阻）：50 kOhms
频率：25MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.2V
频率：30MHz，工作电压：3.3V，频率稳定度：±25ppm，工作温度：-40℃~+85℃
频率：64MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：74.25MHz，频率稳定度：±15ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+85℃
频率：8MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS，工作温度：-40℃~+85℃
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：8 MHz，功能：待机（断电），输出：LVCMOS
频率：100MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS，工作温度：-40℃~+85℃
类型：MHz 晶体，频率：20 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±25ppm，负载电容：18pF
频率：125MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：LVDS，工作电压：3.3V
频率：156.25MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：LVDS，工作电压：3.3V
频率：100MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：LVDS，工作电压：3.3V
晶振类型：贴片晶振，频率：20MHz，常温频差：±30ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：22.1184MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：26MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：18pF
晶振类型：贴片晶振，频率：12MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12.5pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：8pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：15pF
晶振类型：贴片晶振，频率：25MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
晶振类型：贴片晶振，频率：16MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：8pF
晶振类型：贴片晶振，频率：25MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：16pF
晶振类型：直插晶振，频率：8.192MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：28.63636MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
晶振类型：直插晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12.5pF