咨询/建议
频率：33MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：30MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
类型：MHz 晶体，频率：16 MHz，频率稳定性：±20ppm，频率容差：±10ppm，负载电容：8pF
频率：10MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：16MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：12MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：30MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：25MHz，频率稳定度：±25ppm，输出模式：LVCMOS，工作温度：-40℃~+85℃
频率：100MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：3.3V
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：50 MHz，功能：启用/禁用，输出：CMOS
频率：16MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：8pF，频率稳定度：±50ppm
频率：24MHz，频率稳定度：±15ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+85℃
类型：MHz 晶体，频率：16 MHz，频率稳定性：±10ppm，频率容差：±10ppm，负载电容：10pF
频率：40MHz，频率稳定度：±15ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+85℃
类型：MHz 晶体，频率：14.7456 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：12pF
频率：156.25MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：LVDS，工作电压：3.3V
频率：156.25MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：LVDS，工作电压：3.3V
频率：100MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCSL，工作电压：3.3V
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：156.25 MHz，功能：启用/禁用，输出：LVDS
晶振类型：贴片晶振，频率：32MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
晶振类型：贴片晶振，频率：30MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
晶振类型：贴片晶振，频率：24MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
晶振类型：贴片晶振，频率：24MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：9pF
晶振类型：贴片晶振，频率：13.52127MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：10pF
晶振类型：直插晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12.5pF
晶振类型：贴片晶振，频率：24.576MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：16MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：10pF