咨询/建议
频率：156.25MHz，频率稳定度：±20ppm，输出模式：LVDS，工作电压：3.3V
频率：11.0592MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF，频率稳定度：±50ppm
晶振类型：贴片晶振，频率：25MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：40MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：11.0592MHz，常温频差：±30ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：3.579545MHz，常温频差：±30ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：27.12MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：10pF
晶振类型：贴片晶振，频率：27MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：8pF
晶振类型：贴片晶振，频率：24.576MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：10pF
晶振类型：贴片晶振，频率：25MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：9pF
频率：13.52127MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：15pF，频率稳定度：±20ppm
晶振类型：贴片晶振，频率：16.384MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：25MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：27MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：8pF
类型：陶瓷，频率：12 MHz，频率稳定性：±0.2%，频率容差：±0.5%，特性：内置电容
频率：25MHz，常温频差：±50ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：8MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：3.3V
类型：陶瓷，频率：4 MHz，频率稳定性：±0.13%，频率容差：±0.07%，特性：内置电容
频率：12.288MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：10MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：1MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：7.68MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：4.9152MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：4.096MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：5V
频率：10MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：12.288MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V