咨询/建议
频率：11.0592MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：10MHz，工作电压：3.3V，频率稳定度：±25ppm，工作温度：-40℃~+85℃
频率：24MHz，常温频差：±50ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：20MHz，常温频差：±50ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：33.333MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±20ppm，负载电容：4pF，ESR（等效串联电阻）：70 kOhms
基本谐振器：晶体，类型：TCXO，频率：32.768 kHz，功能：启用/禁用，输出：CMOS
晶振类型：贴片晶振，频率：12.288MHz，常温频差：±25ppm，负载电容：20pF
晶振类型：直插晶振，频率：22.1184MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：12MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：8pF
晶振类型：贴片晶振，频率：3.579545MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：10MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：10pF
晶振类型：贴片晶振，频率：8MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：10pF
晶振类型：贴片晶振，频率：8MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：25MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：12MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12pF
晶振类型：贴片晶振，频率：30MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±20ppm，负载电容：7pF，ESR（等效串联电阻）：70 kOhms
类型：MHz 晶体，频率：12 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
晶振类型：贴片晶振，频率：16MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
类型：MHz 晶体，频率：40 MHz，频率稳定性：±65ppm，频率容差：±50ppm，负载电容：6pF
频率：18.432MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
类型：MHz 晶体，频率：20 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±15ppm，负载电容：8pF
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±20ppm，负载电容：12.5pF，ESR（等效串联电阻）：50 kOhms
频率：49.152MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
类型：MHz 晶体，频率：16 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
频率：12MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：24MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：2.4576MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：5V
类型：MHz 晶体，频率：24 MHz，频率稳定性：±30ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
频率：100MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：100MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：1.8V~3.3V
基本谐振器：MEMS，类型：TCXO，频率：32.768 kHz，输出：LVCMOS，电压 - 供电：1.5V ~ 3.63V
频率：125MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：LVDS，工作电压：2.5V~3.3V