咨询/建议
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±20ppm，负载电容：9pF，ESR（等效串联电阻）：90 kOhms
频率：80MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：8 MHz，功能：启用/禁用，输出：CMOS
停产
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±20ppm，负载电容：12.5pF，ESR（等效串联电阻）：70 kOhms
类型：MHz 晶体，频率：114.285 MHz，频率稳定性：±20ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
晶振类型：直插晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±15ppm，负载电容：12.5pF
晶振类型：贴片晶振，频率：27.1412MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：15pF
晶振类型：贴片晶振，频率：13.56MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
晶振类型：贴片晶振，频率：30MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：14.7456MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
晶振类型：直插晶振，频率：25MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
频率：433.92MHz，频率稳定度：±10ppm，谐振阻抗：50Ω，工作温度：-40℃~+85℃
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：6pF
频率：25MHz，工作电压：1.8V~3.3V，工作电流：10mA，频率稳定度：±20ppm
类型：MHz 晶体，频率：32 MHz，频率稳定性：±20ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：6pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12.5pF
晶振类型：贴片晶振，频率：24MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：9pF
频率：33MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：3.3V
频率：48MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：1.8V~3.3V
晶振类型：贴片晶振，频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，负载电容：12.5pF
频率：40MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：12.288MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：2.048MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：8MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：50MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：33.333MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：32.768kHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
基本谐振器：晶体，类型：TCXO，频率：38.4 MHz，输出：削峰正弦波，电压 - 供电：2.8V ~ 3.3V