咨询/建议
频率：32.768kHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：3.3V
频率：27.12MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
不适用于新设计
类型：MHz 晶体，频率：8 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±50ppm，负载电容：8pF
频率：5.5296MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：32MHz，常温频差：±50ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：24MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：24.576MHz，工作电压：1.8V~3.3V，工作电流：5mA，频率稳定度：±30ppm
频率：24MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：12MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：2.048MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：19.2MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：25MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：32.768MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
类型：MHz 晶体，频率：6 MHz，频率稳定性：±50ppm，频率容差：±20ppm，负载电容：18pF
频率：40MHz，工作电压：3.3V，工作电流：20mA，频率稳定度：±50ppm
基本谐振器：MEMS，类型：XO（标准），频率：50 MHz，功能：启用/禁用，输出：HCMOS，LVCMOS
频率：100MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：HCSL，工作电压：3.3V
频率：148.5MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：LVDS，工作电压：3.3V
频率：100MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：LVDS，工作电压：2.5V~3.3V
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：80 MHz，功能：待机（断电），输出：CMOS
晶振类型：贴片晶振，频率：28.63636MHz，常温频差：±30ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：12MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：10pF
晶振类型：贴片晶振，频率：27MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：24MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：30MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：10pF
晶振类型：贴片晶振，频率：30MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF