咨询/建议
频率：20MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
类型：kHz 晶体（音叉），频率：32.768 kHz，频率容差：±10ppm，负载电容：6pF，ESR（等效串联电阻）：90 kOhms
频率：40MHz，常温频差：±50ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：100MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：3.3V
频率：8MHz，频率稳定度：±50ppm，工作电压：1.8V~3.3V，工作温度：-40℃~+105℃
基本谐振器：晶体，类型：XO（标准），频率：200 MHz，功能：启用/禁用，输出：LVDS
晶振类型：贴片晶振，频率：26MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：12pF
晶振类型：贴片晶振，频率：12MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：20MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：18pF
晶振类型：贴片晶振，频率：16.384MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：10pF
晶振类型：贴片晶振，频率：27.12MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：10pF
晶振类型：贴片晶振，频率：16MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：9pF
晶振类型：贴片晶振，频率：18.432MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
晶振类型：直插晶振，频率：7.3728MHz，常温频差：±30ppm，负载电容：20pF
晶振类型：贴片晶振，频率：25MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：8pF
晶振类型：贴片晶振，频率：32MHz，常温频差：±10ppm，负载电容：8pF
晶振类型：贴片晶振，频率：12.288MHz，常温频差：±20ppm，负载电容：20pF
频率：33.333MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：HCMOS，工作电压：3.3V
频率：16MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
类型：陶瓷，频率：4 MHz，频率稳定性：±0.11%，频率容差：±0.07%，特性：内置电容
频率：48MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：14.7456MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：33.333MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：3.3V
频率：33.33MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：26MHz，常温频差：±20ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.62V~3.63V
频率：24.576MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：33.3333MHz，常温频差：±10ppm，输出模式：CMOS，工作电压：1.8V~3.3V
频率：25MHz，工作电压：3.3V，工作电流：10mA，频率稳定度：±50ppm