MDD(辰达行)
SOT-23
¥0.0495
32380
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):300mW
ElecSuper(静芯)
SOT-23
¥0.0496
0
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):300mW
晶导微电子
SOT-23
¥0.0498
2250
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):25V,耗散功率(Pd):300mW
Slkor(萨科微)
SOT-323
¥0.0313
5010
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):200mW
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0502
617605
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):30V,耗散功率(Pd):300mW
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.0958
37248
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):650mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA
MCC(美微科)
SOT-363
¥0.0507
0
晶体管类型:2 PNP(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200mA,电压 - 集射极击穿(最大值):40V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 5mA,50mA,电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0507
108410
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):30V,耗散功率(Pd):225mW
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.051
668980
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):4mA,集射极击穿电压(Vceo):25V,耗散功率(Pd):300mW
BLUE ROCKET(蓝箭)
SOT-23
¥0.0511
2850
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):50V,耗散功率(Pd):200mW
KEC(开益禧)
SOT-23
¥0.0773
1300
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):800mA,集射极击穿电压(Vceo):30V,耗散功率(Pd):350mW
晶导微电子
SOT-23
¥0.0512
850
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):25V,耗散功率(Pd):300mW
晶导微电子
SOT-23
¥0.0512
2100
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):25V,耗散功率(Pd):300mW
JUXING(钜兴)
SOT-23
¥0.0444
0
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):300mW
CBI(创基)
SOT-323
¥0.0642
2900
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):150mW
CBI(创基)
SOT-23
¥0.0724
5990
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):300mA,集射极击穿电压(Vceo):300V,耗散功率(Pd):350mW
KUU(永裕泰)
SOT-23
¥0.055648
182200
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):80V,耗散功率(Pd):300mW
YFW(佑风微)
SOT-23
¥0.052155
2950
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):60V,耗散功率(Pd):250mW
CJ(江苏长电/长晶)
TO-92
¥0.03978
1590
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):2A,集射极击穿电压(Vceo):10V,耗散功率(Pd):750mW
MSKSEMI(美森科)
DFN1006-3
¥0.05328
6750
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):200mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):300mW
CBI(创基)
SOT-363
¥0.05472
1100
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):200mW
MSKSEMI(美森科)
SOT-323
¥0.05032
2450
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):30V,直流电流增益(hFE):290@2mA,5V
LGE(鲁光)
SOT-23
¥0.048576
0
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):250mW
平晶
SOT-23
¥0.0557
2600
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):60V,耗散功率(Pd):350mW
Prisemi(芯导)
SOT-723
¥0.0871
8260
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):150mA,集射极击穿电压(Vceo):50V,耗散功率(Pd):150mW
YANGJIE(扬杰)
SOT-23
¥0.0555
0
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):30V,耗散功率(Pd):200mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-323
¥0.0726
56483
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):50V,耗散功率(Pd):150mW
AnBon(安邦)
SOT-23
¥0.1127
50
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):160V,耗散功率(Pd):225mW
MSKSEMI(美森科)
DFN1006-3
¥0.05624
5500
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):200mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):200mW
MSKSEMI(美森科)
SOT-323
¥0.05328
400
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):30V,直流电流增益(hFE):110@2mA,5V
MSKSEMI(美森科)
SOT-323
¥0.05624
2550
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):200mW
CBI(创基)
SOT-323
¥0.0565
2700
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):150mA,集射极击穿电压(Vceo):50V,耗散功率(Pd):200mW
LRC(乐山无线电)
SC-70(SOT-323)
¥0.057
145200
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):200mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.057354
146163
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):800mA,集射极击穿电压(Vceo):30V,耗散功率(Pd):200mW
ST(先科)
SOT-323
¥0.05773
100
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):1.5A,集射极击穿电压(Vceo):25V,耗散功率(Pd):200mW
YANGJIE(扬杰)
SOT-23
¥0.1037
2540
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):200mW
YANGJIE(扬杰)
SOT-323
¥0.058
0
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):30V,耗散功率(Pd):200mW
MDD(辰达行)
SOT-23
¥0.07831
462
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):30V,耗散功率(Pd):200mW
CBI(创基)
SOT-323
¥0.0805
2750
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):25V,耗散功率(Pd):300mW
LGE(鲁光)
SOT-23
¥0.0592
2050
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):225mW
ST(先科)
TO-236-3
¥0.0604
450
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):150V,耗散功率(Pd):200mW
BLUE ROCKET(蓝箭)
SOT-23
¥0.0595
5550
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):20V,耗散功率(Pd):450mW
KUU(永裕泰)
SOT-23
¥0.058938
183180
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):60V,耗散功率(Pd):300mW
KEXIN(科信)
SOT-23
¥0.0602
320
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):60V,耗散功率(Pd):250mW
MSKSEMI(美森科)
SOT-523
¥0.061845
2900
Slkor(萨科微)
SOT-23
¥0.0604
2940
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):250mW
CBI(创基)
SOT-523
¥0.0606
2850
Slkor(萨科微)
SOT-323
¥0.04389
280
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):160V,耗散功率(Pd):200mW
CBI(创基)
SOT-23
¥0.06108
1040
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):12V,耗散功率(Pd):200mW
SHIKUES(时科)
SOT-523
¥0.06115
2284
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):200mW