MMDT9014DW
CBI(创基)
SOT-363
¥0.05472
1,100
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):200mW
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MMDT9014DW
CBI(创基)
SOT-363

21000+:¥0.0547

9000+:¥0.0565

3000+:¥0.0599

600+:¥0.0715

200+:¥0.0779

20+:¥0.0896

1100

-
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MMDT9014DW
CBI(创基)
SOT-363

3000+:¥0.0989

1500+:¥0.1032

600+:¥0.1101

200+:¥0.1187

50+:¥0.1273

10+:¥0.1376

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
集电极电流(Ic) 100mA
集射极击穿电压(Vceo) 45V
耗散功率(Pd) 200mW