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描述: 晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：200mW

2SC1623

厂牌: GOODWORK(固得沃克)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.01485

库存量: 800

热度:

描述: 晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：200mW

BC846A

厂牌: ElecSuper(静芯)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.0286

库存量: 0

热度:

描述: 晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：65V，耗散功率(Pd)：200mW

BC856B

厂牌: TWGMC(台湾迪嘉)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.029128

库存量: 5050

热度:

描述: 晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：65V，耗散功率(Pd)：300mW

BC857C

厂牌: KUU(永裕泰)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.0286

库存量: 324161

热度:

供应商报价 8

描述: 晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW

MMBT3906

厂牌: IDCHIP(英锐芯)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.0301

库存量: 0

热度:

描述: 晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：200mW

2SC2412L

厂牌: FOSAN(富信)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.0302

库存量: 1950

热度:

描述: 晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：225mW

BC857A

厂牌: MSKSEMI(美森科)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.02703

库存量: 1000

热度:

描述: 晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW

MMBT3904W

厂牌: SHIKUES(时科)

封装: SOT-323

手册:

市场价: ￥0.032

库存量: 0

热度:

描述: 晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：200mW

BC848B-7-F

厂牌: DIODES(美台)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.01863

库存量: 1840

热度:

供应商报价 5

描述: 晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA

BC807-25

厂牌: BLUE ROCKET(蓝箭)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.021976

库存量: 700

热度:

描述: 晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：250mW

MMBTSA1576W

厂牌: CBI(创基)

封装: SOT-323

手册:

市场价: ￥0.0312

库存量: 2700

热度:

描述: 晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：200mW

MMBT5551

厂牌: IDCHIP(英锐芯)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.0313

库存量: 1240

热度:

描述: 晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：300mW

BC848B

厂牌: CBI(创基)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.0318

库存量: 1600

热度:

描述: 晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：200mW

2SC2712Y

厂牌: SHIKUES(时科)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.04256

库存量: 0

热度:

描述: 晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：150mW

BC846A

厂牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.03195

库存量: 5300

热度:

描述: 晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：65V，耗散功率(Pd)：200mW

MMBTSC2712

厂牌: CBI(创基)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.03195

库存量: 5300

热度:

描述: 晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：200mW

AD-BC848

厂牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.025515

库存量: 960

热度:

描述: 晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：200mW

KST9015

厂牌: KEXIN(科信)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.0324

库存量: 0

热度:

描述: 晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW

BC817-25

厂牌: 晶导微电子

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.033

库存量: 238455

热度:

描述: 晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：300mW

2SA1362

厂牌: SHIKUES(时科)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.02485

库存量: 2350

热度:

描述: 晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：800mA，集射极击穿电压(Vceo)：15V，耗散功率(Pd)：200mW

KTA1505Y

厂牌: SHIKUES(时科)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.02485

库存量: 56100

热度:

描述: 集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：150mW，直流电流增益(hFE)：120@100mA,1V

MMST3906

厂牌: Slkor(萨科微)

封装: SOT-323

手册:

市场价: ￥0.02982

库存量: 900

热度:

描述: 晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：200mW

BC846A

厂牌: CBI(创基)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.02875

库存量: 0

热度:

描述: 晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：65V，耗散功率(Pd)：200mW

BC848BW

厂牌: YANGJIE(扬杰)

封装: SOT-323

手册:

市场价: ￥0.05719

库存量: 2580

热度:

描述: 晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：200mW

S9018

厂牌: 晶导微电子

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.0363

库存量: 159687

热度:

供应商报价 4

描述: 晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：50mA，集射极击穿电压(Vceo)：15V，耗散功率(Pd)：200mW

2SA812

厂牌: Hottech(合科泰)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.034865

库存量: 0

热度:

供应商报价

描述: 晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：200mW

MMBTSC1623-L6

厂牌: 平晶

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.035

库存量: 6800

热度:

描述: 晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：200mW

2SC1815-MS

厂牌: MSKSEMI(美森科)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.031535

库存量: 150

热度:

描述: 晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：200mW

S9012-MS

厂牌: MSKSEMI(美森科)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.031535

库存量: 600

热度:

描述: 晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW

C945W

厂牌: CBI(创基)

封装: SOT-323

手册:

市场价: ￥0.0355

库存量: 2950

热度:

描述: 晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：200mW

MMBT4403

厂牌: 晶导微电子

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.0385

库存量: 1238703

热度:

供应商报价 4

描述: 晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：300mW

MMBT4403

厂牌: CBI(创基)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.0359

库存量: 1350

热度:

描述: 晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：300mW

KST9014

厂牌: KEXIN(科信)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.0359

库存量: 50

热度:

描述: 晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW

S9018

厂牌: FUXINSEMI(富芯森美)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.03591

库存量: 1000

热度:

描述: 晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：50mA，集射极击穿电压(Vceo)：15V，耗散功率(Pd)：200mW

MMBT3904T

厂牌: DOWO(东沃)

封装: SOT-523

手册:

市场价: ￥0.047

库存量: 6850

热度:

描述: 晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：150mW

BC807-40

厂牌: FOSAN(富信)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.0363

库存量: 108250

热度:

描述: 晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：300mW

2SA812-M7

厂牌: Slkor(萨科微)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.02737

库存量: 0

热度:

描述: 晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：200mW

2SA1015-B

厂牌: Slkor(萨科微)

封装: TO-92

手册:

市场价: ￥0.0379

库存量: 0

热度:

描述: 晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：400mW

S8050(0.8A)

厂牌: CBI(创基)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.037

库存量: 2450

热度:

描述: 晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：800mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW

KTA1505

厂牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.026856

库存量: 1680

热度:

供应商报价 4

描述: 晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：150mW

SS8050W

厂牌: SHIKUES(时科)

封装: SOT-323

手册:

市场价: ￥0.0402

库存量: 0

热度:

描述: 晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：200mW

BC846A

厂牌: MSKSEMI(美森科)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.035275

库存量: 200

热度:

描述: 晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：65V，耗散功率(Pd)：200mW

MMBTSC1623-L5

厂牌: 平晶

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.0391

库存量: 5050

热度:

描述: 晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：200mW

BC807-25

厂牌: YFW(佑风微)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.03232

库存量: 2750

热度:

描述: 晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：300mW

BC847B

厂牌: MSKSEMI(美森科)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.035275

库存量: 1550

热度:

描述: 晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW

BC846B

厂牌: MSKSEMI(美森科)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.035275

库存量: 2800

热度:

描述: 晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：65V，耗散功率(Pd)：200mW

BC858B

厂牌: MSKSEMI(美森科)

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.039425

库存量: 3450

热度:

描述: 晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：200mW

C945-H

厂牌: 晶导微电子

封装: SOT-23

手册:

市场价: ￥0.0398

库存量: 3500

热度:

描述: 晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：200mW

S9014W

厂牌: CBI(创基)

封装: SOT-323

手册:

市场价: ￥0.04068

库存量: 80

热度: