咨询/建议
集电极电流(Ic)：10A，集射极击穿电压(Vceo)：400V，耗散功率(Pd)：80W，直流电流增益(hFE)：10@4A,5V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.7V @ 600mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 600mA，6A，电流 - 集电极截止（最大值）：50µA
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：350 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 200mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：1mA
停产
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）
晶体管类型：2 PNP（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：360mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电压 - 集射极击穿（最大值）：12V，频率 - 跃迁：10.5GHz，噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1.3dB @ 1.8GHz，增益：8.5dB
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：200 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：260mV @ 400mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：25 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：4V @ 5A，25A，电流 - 集电极截止（最大值）：1mA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：450 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：750mV @ 500mA，2.5A，电流 - 集电极截止（最大值）：100µA
晶体管类型：2 NPN（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5A，电压 - 集射极击穿（最大值）：75V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：440mV @ 250mA，5A，电流 - 集电极截止（最大值）：10nA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：450 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 500mA，2.5A，电流 - 集电极截止（最大值）：1mA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：450 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 400mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100µA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：150 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：400 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 400mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100µA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：700 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 1.6A，4.5A，电流 - 集电极截止（最大值）：200µA
不适用于新设计
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：15 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：450 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：5V @ 2.4A，12A，电流 - 集电极截止（最大值）：200µA
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：8V @ 3.3A，10A，电流 - 集电极截止（最大值）：700µA
停产
晶体管类型：NPN，电压 - 集射极击穿（最大值）：6.1V，频率 - 跃迁：1.85GHz，噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：2.6dB @ 1.8GHz，增益：17dB
集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：60V，耗散功率(Pd)：1W，特征频率(fT)：150MHz
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：15 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：230 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2V @ 1A，10A，电流 - 集电极截止（最大值）：50µA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：15 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：260 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3V @ 1A，10A，电流 - 集电极截止（最大值）：50µA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：800 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA
不适用于新设计
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：24 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：800 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3V @ 3A，12A，电流 - 集电极截止（最大值）：200µA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：15 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：260 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3V @ 1A，10A，电流 - 集电极截止（最大值）：50µA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：450 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 4A，20A，功率 - 最大值：200 W
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：15 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：350 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 800mA，8A，电流 - 集电极截止（最大值）：100µA
晶体管类型：3 NPN + 2 PNP，电压 - 集射极击穿（最大值）：12V，15V，频率 - 跃迁：8GHz，5.5GHz，噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：3.5dB @ 1GHz，功率 - 最大值：150mW
集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：400mW，直流电流增益(hFE)：400@2mA,6V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：65V，耗散功率(Pd)：200mW
集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：300mW，特征频率(fT)：100MHz
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：150mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：50mA，集射极击穿电压(Vceo)：18V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：65V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：200mW，直流电流增益(hFE)：800@2mA,5V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：200mW
集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：200mW，直流电流增益(hFE)：300@10mA,1V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：350mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：350mW