ST(先科)
TO-92
¥0.0407
316
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):150mA,集射极击穿电压(Vceo):50V,耗散功率(Pd):250mW
TWGMC(台湾迪嘉)
SOT-323
¥0.037444
13400
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):50V,耗散功率(Pd):150mW
平晶
SOT-23
¥0.041
6450
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):150mA,集射极击穿电压(Vceo):50V,耗散功率(Pd):150mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.032562
880
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):30V,耗散功率(Pd):150mW
LRC(乐山无线电)
SC-89
¥0.088
5575
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):150mA,集射极击穿电压(Vceo):50V,耗散功率(Pd):150mW
YFW(佑风微)
SOT-23
¥0.03496
2800
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):300mW
Slkor(萨科微)
SOT-323
¥0.03318
50
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):65V,耗散功率(Pd):200mW
FOSAN(富信)
SOT-523
¥0.0461
1400
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):200mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):150mW
SHIKUES(时科)
SOT-23
¥0.04235
3544
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):225mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-323
¥0.03357
4760
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0481
47301
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):30V,耗散功率(Pd):300mW
YFW(佑风微)
SOT-23
¥0.03584
2150
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):300mW
TOSHIBA(东芝)
SOT-346
¥0.2373
230
BLUE ROCKET(蓝箭)
SOT-23
¥0.0437
0
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):150mA,集射极击穿电压(Vceo):50V,功率:150mW
UMW(友台半导体)
SOT-23
¥0.0447
5081
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):300mW
MSKSEMI(美森科)
SOT-23
¥0.04674
400
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):60V,耗散功率(Pd):250mW
Hottech(合科泰)
SOT-323
¥0.04389
1960
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):150mW
DOWO(东沃)
SOT-23
¥0.0449
11950
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):60V,耗散功率(Pd):250mW
CBI(创基)
SOT-23
¥0.044
300
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):300mW
PANJIT(强茂)
SOT-23
¥0.0858
32540
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):200mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):225mW
ST(先科)
TO-236-3
¥0.046
0
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):160V,耗散功率(Pd):350mW
BORN(伯恩半导体)
SOT-523
¥0.04921
7478
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):200mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):150mW
CJ(江苏长电/长晶)
TO-92
¥0.039165
52829
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):2A,集射极击穿电压(Vceo):10V,耗散功率(Pd):750mW
KUU(永裕泰)
SOT-23
¥0.0468
181000
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):300mW
MSKSEMI(美森科)
SOT-23
¥0.0363
128000
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):200mW
GOODWORK(固得沃克)
SOT-23
¥0.04503
4400
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):300mW
MSKSEMI(美森科)
SOT-23
¥0.040545
1350
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):60V,耗散功率(Pd):250mW
Hottech(合科泰)
SOT-23
¥0.045706
0
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):20mA,集射极击穿电压(Vceo):30V,功率:100mW
平晶
SOT-23
¥0.04592
3794
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):150V,耗散功率(Pd):350mW
PANJIT(强茂)
SOT-23
¥0.04599
9937
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):200mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):330mW
TWGMC(台湾迪嘉)
SOT-23
¥0.047
3500
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):300mW
YFW(佑风微)
SOT-323
¥0.0493
0
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):200mW
LGE(鲁光)
SOT-23
¥0.08592
2176
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):350mW
LGE(鲁光)
SOT-23
¥0.04797
2750
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):300mW
CBI(创基)
SOT-363
¥0.04685
2160
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):200mW
ChipNobo(无边界)
SOT-23
¥0.049
8950
集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):300mW,直流电流增益(hFE):600@100mA,1V
YFW(佑风微)
SOT-23
¥0.046075
0
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):200mW
Slkor(萨科微)
SOT-323
¥0.0486
2650
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):200mW
CJ(江苏长电/长晶)
TO-92
¥0.0473
149711
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):50V,耗散功率(Pd):250mW
ST(先科)
SOT-23
¥0.05759
4012
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):30V,耗散功率(Pd):200mW
CBI(创基)
SOT-23
¥0.04797
2850
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):300mW
CBI(创基)
SOT-23
¥0.04797
2950
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):300mW
BLUE ROCKET(蓝箭)
SOT-23
¥0.0481
5400
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):400mW
FOSAN(富信)
SOT-89
¥0.0484
31000
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):1.5A,集射极击穿电压(Vceo):25V,耗散功率(Pd):500mW
ChipNobo(无边界)
SOT-523
¥0.0484
5950
集电极电流(Ic):200mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):150mW,直流电流增益(hFE):300@10mA,1V
LRC(乐山无线电)
SC-89
¥0.057
158319
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):300mW
ST(先科)
SOT-23
¥0.0473
0
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):300mW
MSKSEMI(美森科)
SOT-23
¥0.045305
1250
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):150mA,集射极击穿电压(Vceo):50V,耗散功率(Pd):150mW
MSKSEMI(美森科)
SOT-323
¥0.045305
1050
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):200mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):200mW
ChipNobo(无边界)
SOT-23
¥0.0516
6050
集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):300mW,直流电流增益(hFE):600@100mA,1V