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商品目录
三极管/MOS管/晶体管
三极管(BJT)
SS8050
厂牌:
AnBon(安邦)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.0489
库存量:
5918
热度:
供应商报价
2
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):1.5A,集射极击穿电压(Vceo):25V,耗散功率(Pd):225mW
BCX56-16-AU_R1_000A1
厂牌:
PANJIT(强茂)
封装:
SOT-89
手册:
市场价:
¥0.26
库存量:
4405
热度:
供应商报价
10
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):100 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 100mA,1A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
2SC4672-Q
厂牌:
BLUE ROCKET(蓝箭)
封装:
SOT-89
手册:
市场价:
¥0.201
库存量:
2928
热度:
供应商报价
3
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):3A,集射极击穿电压(Vceo):50V,耗散功率(Pd):2W
PN2222ABU
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92-3L
手册:
市场价:
¥0.2916
库存量:
5640
热度:
供应商报价
3
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):40 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO)
MJD44H11
厂牌:
Nexperia(安世)
封装:
TO-252
手册:
市场价:
¥0.95
库存量:
7076
热度:
供应商报价
8
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):8A,集射极击穿电压(Vceo):80V,耗散功率(Pd):20W
PBSS4041PX,115
厂牌:
Nexperia(安世)
封装:
SOT-89
手册:
市场价:
¥1.08
库存量:
88949
热度:
供应商报价
16
描述:
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5 A,电压 - 集射极击穿(最大值):60 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 500mA,5A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
2SC5566-TD-E
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-89
手册:
市场价:
¥1.862
库存量:
1872
热度:
供应商报价
7
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4 A,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):225mV @ 100mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)
D44VH10G
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-220
手册:
市场价:
¥2.1
库存量:
4779
热度:
供应商报价
10
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 400mA,8A,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):20 @ 4A,1V
FZT869TA
厂牌:
DIODES(美台)
封装:
SOT-223
手册:
市场价:
¥2.2
库存量:
8722
热度:
供应商报价
5
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):7 A,电压 - 集射极击穿(最大值):25 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):350mV @ 150mA,6.5A,电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
2SA1943-O(Q
厂牌:
TOSHIBA(东芝)
封装:
TO-3PL
手册:
市场价:
¥5.51
库存量:
578
热度:
供应商报价
3
描述:
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):15A,集射极击穿电压(Vceo):230V,耗散功率(Pd):150W
S9012
厂牌:
Hottech(合科泰)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.02808
库存量:
31994
热度:
供应商报价
8
描述:
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):25V,耗散功率(Pd):300mW
S9012
厂牌:
MDD(辰达行)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.0286
库存量:
112428
热度:
供应商报价
9
描述:
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):25V,耗散功率(Pd):300mW
BC858C
厂牌:
Hottech(合科泰)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.029545
库存量:
11958
热度:
供应商报价
10
描述:
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):30V,耗散功率(Pd):200mW
2SC1815
厂牌:
CJ(江苏长电/长晶)
封装:
TO-92
手册:
市场价:
¥0.0572
库存量:
140607
热度:
供应商报价
22
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):150mA,集射极击穿电压(Vceo):50V,耗散功率(Pd):400mW
MMBT3906M
厂牌:
CJ(江苏长电/长晶)
封装:
SOT-723
手册:
市场价:
¥0.0693
库存量:
600633
热度:
供应商报价
7
描述:
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):200mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):100mW
BC548B
厂牌:
LGE(鲁光)
封装:
TO-92
手册:
市场价:
¥0.0737
库存量:
1720
热度:
供应商报价
1
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):30V,耗散功率(Pd):625mW
PXT8050
厂牌:
TWGMC(台湾迪嘉)
封装:
SOT-89
手册:
市场价:
¥0.0756
库存量:
9720
热度:
供应商报价
3
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):1.5A,集射极击穿电压(Vceo):25V,耗散功率(Pd):500mW
MPSA92
厂牌:
BLUE ROCKET(蓝箭)
封装:
TO-92
手册:
市场价:
¥0.08476
库存量:
9437
热度:
供应商报价
4
描述:
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):300V,耗散功率(Pd):1.5W
MMDT5551
厂牌:
YANGJIE(扬杰)
封装:
SOT-363
手册:
市场价:
¥0.098
库存量:
11505
热度:
供应商报价
9
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):160V,耗散功率(Pd):200mW
B772
厂牌:
DOWO(东沃)
封装:
SOT-89-3L
手册:
市场价:
¥0.1176
库存量:
8910
热度:
供应商报价
1
描述:
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):3A,集射极击穿电压(Vceo):30V,耗散功率(Pd):500mW
MMBT2369ALT1G
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.144
库存量:
104366
热度:
供应商报价
14
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):15 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 10mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):400nA
PXT2222A
厂牌:
CJ(江苏长电/长晶)
封装:
SOT-89-3L
手册:
市场价:
¥0.1633
库存量:
13333
热度:
供应商报价
9
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):500mW
2SC3325-Y,LF
厂牌:
TOSHIBA(东芝)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.175626
库存量:
120551
热度:
供应商报价
11
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 10mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
2SD1782KT146R
厂牌:
ROHM(罗姆)
封装:
TO-236-3(SOT-23-3)
手册:
市场价:
¥0.2399
库存量:
290044
热度:
供应商报价
9
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
2SD669AD-C
厂牌:
BLUE ROCKET(蓝箭)
封装:
TO-252
手册:
市场价:
¥0.26
库存量:
10768
热度:
供应商报价
8
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):1.5A,集射极击穿电压(Vceo):160V,耗散功率(Pd):10W
2SC2873-Y(TE12L,ZC
厂牌:
TOSHIBA(东芝)
封装:
TO-243AA
手册:
市场价:
¥0.4102
库存量:
15196
热度:
供应商报价
12
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,1A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
MJE172G
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-225-3
手册:
市场价:
¥1.05
库存量:
38740
热度:
供应商报价
9
描述:
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.7V @ 600mA,3A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
PBHV8215Z,115
厂牌:
Nexperia(安世)
封装:
SOT-223
手册:
市场价:
¥1.13
库存量:
17325
热度:
供应商报价
8
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):150 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):280mV @ 400mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
NJVMJD44H11T4G
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
DPAK
手册:
市场价:
¥2.3045
库存量:
530
热度:
供应商报价
4
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 400mA,8A,电流 - 集电极截止(最大值):1µA
D45VH10G
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-220
手册:
市场价:
¥2.4
库存量:
1385
热度:
供应商报价
7
描述:
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 800mA,8A,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):20 @ 4A,1V
MJE15032G
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-220
手册:
市场价:
¥2.6631
库存量:
980
热度:
供应商报价
12
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8 A,电压 - 集射极击穿(最大值):250 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 100mA,1A,电流 - 集电极截止(最大值):10µA(ICBO)
MMBT4403
厂牌:
JSMSEMI(杰盛微)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.0436
库存量:
5350
热度:
供应商报价
5
描述:
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):300mW
S8550
厂牌:
BORN(伯恩半导体)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.0403
库存量:
34788
热度:
供应商报价
7
描述:
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):25V,耗散功率(Pd):300mW
BC817-25
厂牌:
FUXINSEMI(富芯森美)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.03827
库存量:
122595
热度:
供应商报价
6
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):300mW
A1015
厂牌:
CJ(江苏长电/长晶)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.05346
库存量:
77882
热度:
供应商报价
13
描述:
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):150mA,集射极击穿电压(Vceo):50V,耗散功率(Pd):200mW
2SA1037AK
厂牌:
BLUE ROCKET(蓝箭)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.03962
库存量:
38442
热度:
供应商报价
2
描述:
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):150mA,集射极击穿电压(Vceo):50V,耗散功率(Pd):200mW
MMST2222A
厂牌:
CJ(江苏长电/长晶)
封装:
SOT-323
手册:
市场价:
¥0.0678
库存量:
14413
热度:
供应商报价
5
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):200mW
MMBT6428LT1G
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.159
库存量:
35069
热度:
供应商报价
11
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
PZT5551G-B-AA3-R
厂牌:
UTC(友顺)
封装:
SOT-223
手册:
市场价:
¥0.224
库存量:
13203
热度:
供应商报价
8
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):690mA,集射极击穿电压(Vceo):160V,耗散功率(Pd):2W
MMDT5451(10K)
厂牌:
CJ(江苏长电/长晶)
封装:
SOT-363
手册:
市场价:
¥0.1901
库存量:
30
热度:
供应商报价
1
描述:
晶体管类型:NPN+PNP,集电极电流(Ic):200mA,集射极击穿电压(Vceo):160V,耗散功率(Pd):200mW
BCP56T1G
厂牌:
FUXINSEMI(富芯森美)
封装:
SOT-223
手册:
市场价:
¥0.2457
库存量:
1240
热度:
供应商报价
1
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):1A,集射极击穿电压(Vceo):80V,耗散功率(Pd):1.5W
5302DG-AA3-R
厂牌:
UTC(友顺)
封装:
SOT-223
手册:
市场价:
¥0.4573
库存量:
1155
热度:
供应商报价
1
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):2A,集射极击穿电压(Vceo):400V,耗散功率(Pd):1W
BCX53,115
厂牌:
Nexperia(安世)
封装:
SOT-89
手册:
市场价:
¥0.27248
库存量:
18785
热度:
供应商报价
11
描述:
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
2SA1213-Y(TE12L,ZC
厂牌:
TOSHIBA(东芝)
封装:
SC-62
手册:
市场价:
¥0.402
库存量:
19878
热度:
供应商报价
11
描述:
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):2A,集射极击穿电压(Vceo):50V,耗散功率(Pd):1W
FMMT596TA
厂牌:
DIODES(美台)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.6023
库存量:
28598
热度:
供应商报价
7
描述:
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):300 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):200 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):350mV @ 25mA,250mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
ZXTD4591E6TA
厂牌:
DIODES(美台)
封装:
SOT-26
手册:
市场价:
¥1.13
库存量:
14814
热度:
供应商报价
8
描述:
晶体管类型:NPN,PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A,电压 - 集射极击穿(最大值):60V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
D45H11
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-220
手册:
市场价:
¥1.4819
库存量:
44460
热度:
供应商报价
8
描述:
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 400mA,8A,电流 - 集电极截止(最大值):10µA
FZT1049ATA
厂牌:
DIODES(美台)
封装:
SOT-223
手册:
市场价:
¥1.694
库存量:
10106
热度:
供应商报价
9
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5 A,电压 - 集射极击穿(最大值):25 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):330mV @ 50mA,5A,电流 - 集电极截止(最大值):10nA
FZT857TA
厂牌:
DIODES(美台)
封装:
SOT-223
手册:
市场价:
¥1.9
库存量:
1820
热度:
供应商报价
8
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3.5 A,电压 - 集射极击穿(最大值):300 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):345mV @ 600mA,3.5A,电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
S9014
厂牌:
JSMSEMI(杰盛微)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.01182
库存量:
26578
热度:
供应商报价
11
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):25V,耗散功率(Pd):200mW
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