AnBon(安邦)
SOT-23
¥0.0489
5918
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):1.5A,集射极击穿电压(Vceo):25V,耗散功率(Pd):225mW
PANJIT(强茂)
SOT-89
¥0.26
4405
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):100 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 100mA,1A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
BLUE ROCKET(蓝箭)
SOT-89
¥0.201
2928
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):3A,集射极击穿电压(Vceo):50V,耗散功率(Pd):2W
onsemi(安森美)
TO-92-3L
¥0.2916
5640
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):40 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO)
Nexperia(安世)
TO-252
¥0.95
7076
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):8A,集射极击穿电压(Vceo):80V,耗散功率(Pd):20W
Nexperia(安世)
SOT-89
¥1.08
88949
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5 A,电压 - 集射极击穿(最大值):60 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 500mA,5A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
onsemi(安森美)
SOT-89
¥1.862
1872
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4 A,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):225mV @ 100mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)
onsemi(安森美)
TO-220
¥2.1
4779
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 400mA,8A,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):20 @ 4A,1V
DIODES(美台)
SOT-223
¥2.2
8722
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):7 A,电压 - 集射极击穿(最大值):25 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):350mV @ 150mA,6.5A,电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
TOSHIBA(东芝)
TO-3PL
¥5.51
578
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):15A,集射极击穿电压(Vceo):230V,耗散功率(Pd):150W
Hottech(合科泰)
SOT-23
¥0.02808
31994
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):25V,耗散功率(Pd):300mW
MDD(辰达行)
SOT-23
¥0.0286
112428
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):25V,耗散功率(Pd):300mW
Hottech(合科泰)
SOT-23
¥0.029545
11958
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):30V,耗散功率(Pd):200mW
CJ(江苏长电/长晶)
TO-92
¥0.0572
140607
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):150mA,集射极击穿电压(Vceo):50V,耗散功率(Pd):400mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-723
¥0.0693
600633
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):200mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):100mW
LGE(鲁光)
TO-92
¥0.0737
1720
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):30V,耗散功率(Pd):625mW
TWGMC(台湾迪嘉)
SOT-89
¥0.0756
9720
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):1.5A,集射极击穿电压(Vceo):25V,耗散功率(Pd):500mW
BLUE ROCKET(蓝箭)
TO-92
¥0.08476
9437
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):300V,耗散功率(Pd):1.5W
YANGJIE(扬杰)
SOT-363
¥0.098
11505
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):160V,耗散功率(Pd):200mW
DOWO(东沃)
SOT-89-3L
¥0.1176
8910
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):3A,集射极击穿电压(Vceo):30V,耗散功率(Pd):500mW
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.144
104366
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):15 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 10mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):400nA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-89-3L
¥0.1633
13333
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):500mW
TOSHIBA(东芝)
SOT-23
¥0.175626
120551
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 10mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
ROHM(罗姆)
TO-236-3(SOT-23-3)
¥0.2399
290044
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
BLUE ROCKET(蓝箭)
TO-252
¥0.26
10768
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):1.5A,集射极击穿电压(Vceo):160V,耗散功率(Pd):10W
TOSHIBA(东芝)
TO-243AA
¥0.4102
15196
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,1A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
onsemi(安森美)
TO-225-3
¥1.05
38740
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.7V @ 600mA,3A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
Nexperia(安世)
SOT-223
¥1.13
17325
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):150 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):280mV @ 400mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
onsemi(安森美)
DPAK
¥2.3045
530
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 400mA,8A,电流 - 集电极截止(最大值):1µA
onsemi(安森美)
TO-220
¥2.4
1385
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 800mA,8A,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):20 @ 4A,1V
onsemi(安森美)
TO-220
¥2.6631
980
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8 A,电压 - 集射极击穿(最大值):250 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 100mA,1A,电流 - 集电极截止(最大值):10µA(ICBO)
JSMSEMI(杰盛微)
SOT-23
¥0.0436
5350
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):300mW
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.0403
34788
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):25V,耗散功率(Pd):300mW
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-23
¥0.03827
122595
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):300mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.05346
77882
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):150mA,集射极击穿电压(Vceo):50V,耗散功率(Pd):200mW
BLUE ROCKET(蓝箭)
SOT-23
¥0.03962
38442
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):150mA,集射极击穿电压(Vceo):50V,耗散功率(Pd):200mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-323
¥0.0678
14413
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):200mW
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.159
35069
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
UTC(友顺)
SOT-223
¥0.224
13203
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):690mA,集射极击穿电压(Vceo):160V,耗散功率(Pd):2W
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-363
¥0.1901
30
晶体管类型:NPN+PNP,集电极电流(Ic):200mA,集射极击穿电压(Vceo):160V,耗散功率(Pd):200mW
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-223
¥0.2457
1240
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):1A,集射极击穿电压(Vceo):80V,耗散功率(Pd):1.5W
UTC(友顺)
SOT-223
¥0.4573
1155
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):2A,集射极击穿电压(Vceo):400V,耗散功率(Pd):1W
Nexperia(安世)
SOT-89
¥0.27248
18785
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
TOSHIBA(东芝)
SC-62
¥0.402
19878
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):2A,集射极击穿电压(Vceo):50V,耗散功率(Pd):1W
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.6023
28598
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):300 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):200 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):350mV @ 25mA,250mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
DIODES(美台)
SOT-26
¥1.13
14814
晶体管类型:NPN,PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A,电压 - 集射极击穿(最大值):60V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
ST(意法半导体)
TO-220
¥1.4819
44460
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 400mA,8A,电流 - 集电极截止(最大值):10µA
DIODES(美台)
SOT-223
¥1.694
10106
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5 A,电压 - 集射极击穿(最大值):25 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):330mV @ 50mA,5A,电流 - 集电极截止(最大值):10nA
DIODES(美台)
SOT-223
¥1.9
1820
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3.5 A,电压 - 集射极击穿(最大值):300 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):345mV @ 600mA,3.5A,电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
JSMSEMI(杰盛微)
SOT-23
¥0.01182
26578
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):25V,耗散功率(Pd):200mW