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商品目录
三极管/MOS管/晶体管
三极管(BJT)
MMBT489LT1G
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.58
库存量:
3935
热度:
供应商报价
12
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):30 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):200mV @ 100mA,1A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
BFR193WH6327
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
SOT-323
手册:
市场价:
¥0.7086
库存量:
590
热度:
供应商报价
4
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):80mA,集射极击穿电压(Vceo):12V,耗散功率(Pd):580mW
FZT753TA
厂牌:
DIODES(美台)
封装:
TO-261-4,TO-261AA
手册:
市场价:
¥1.09
库存量:
12745
热度:
供应商报价
15
描述:
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):100 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 200mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
MJD45H11G
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-252(DPAK)
手册:
市场价:
¥2.1
库存量:
14024
热度:
供应商报价
11
描述:
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 400mA,8A,电流 - 集电极截止(最大值):1µA
MJE15033G
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-220
手册:
市场价:
¥2.93
库存量:
8970
热度:
供应商报价
6
描述:
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8 A,电压 - 集射极击穿(最大值):250 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 100mA,1A,电流 - 集电极截止(最大值):10µA(ICBO)
BC847A
厂牌:
FOSAN(富信)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.0198
库存量:
33678
热度:
供应商报价
3
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):225mW
MMBT3906
厂牌:
BORN(伯恩半导体)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.02671
库存量:
21057
热度:
供应商报价
4
描述:
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):200mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):200mW
MMBT3904T-MS
厂牌:
MSKSEMI(美森科)
封装:
SOT-523
手册:
市场价:
¥0.0456
库存量:
24200
热度:
供应商报价
3
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):200mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):150mW
KTC8550S-D-RTK/P
厂牌:
KEC(开益禧)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.0426
库存量:
380109
热度:
供应商报价
8
描述:
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):800mA,集射极击穿电压(Vceo):30V,耗散功率(Pd):350mW
PT23T3904
厂牌:
Prisemi(芯导)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.0477
库存量:
750
热度:
供应商报价
1
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):200mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):150mW
S-LMBT5551LT1G
厂牌:
LRC(乐山无线电)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.0504
库存量:
29115
热度:
供应商报价
10
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):160V,耗散功率(Pd):300mW
S9014W
厂牌:
MSKSEMI(美森科)
封装:
SOT-323
手册:
市场价:
¥0.049
库存量:
21164
热度:
供应商报价
7
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):200mW
BC858B,235
厂牌:
Nexperia(安世)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.056648
库存量:
28480
热度:
供应商报价
2
描述:
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):30 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):650mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
LBC847BPDW1T1G
厂牌:
LRC(乐山无线电)
封装:
SOT-363(SC-88)
手册:
市场价:
¥0.064
库存量:
622050
热度:
供应商报价
8
描述:
晶体管类型:NPN+PNP,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):380mW
BC847S
厂牌:
TECH PUBLIC(台舟)
封装:
SOT-363
手册:
市场价:
¥0.0706
库存量:
1880
热度:
供应商报价
3
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):300mW
2N5551
厂牌:
ST(先科)
封装:
TO-92
手册:
市场价:
¥0.0731
库存量:
5176
热度:
供应商报价
5
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):160V,耗散功率(Pd):625mW
MMBT2222AW
厂牌:
Slkor(萨科微)
封装:
SOT-323
手册:
市场价:
¥0.0687
库存量:
140
热度:
供应商报价
1
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):150mW
S8050
厂牌:
AnBon(安邦)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.0551
库存量:
4095
热度:
供应商报价
2
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):25V,耗散功率(Pd):225mW
BC856S,115
厂牌:
Nexperia(安世)
封装:
TSSOP-6(SOT-363)
手册:
市场价:
¥0.12126
库存量:
548111
热度:
供应商报价
14
描述:
晶体管类型:2 PNP(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):65V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
2SD882SQ
厂牌:
JUXING(钜兴)
封装:
SOT-89
手册:
市场价:
¥0.159125
库存量:
1120
热度:
供应商报价
3
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):3A,集射极击穿电压(Vceo):30V,耗散功率(Pd):10W
BCX56-16 BL HD
厂牌:
Hottech(合科泰)
封装:
SOT-89
手册:
市场价:
¥0.139175
库存量:
110
热度:
供应商报价
1
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):1A,集射极击穿电压(Vceo):80V,耗散功率(Pd):1W
FMMT718
厂牌:
华轩阳
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.148149
库存量:
240
热度:
供应商报价
2
描述:
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):1.5A,集射极击穿电压(Vceo):20V,耗散功率(Pd):350mW
2SC4672
厂牌:
CJ(江苏长电/长晶)
封装:
SOT-89-3L
手册:
市场价:
¥0.194
库存量:
155320
热度:
供应商报价
15
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):2A,集射极击穿电压(Vceo):50V,耗散功率(Pd):500mW
MMDT5551-7-F
厂牌:
DIODES(美台)
封装:
SOT-363
手册:
市场价:
¥0.185
库存量:
64191
热度:
供应商报价
11
描述:
晶体管类型:2 NPN(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200mA,电压 - 集射极击穿(最大值):160V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):200mV @ 5mA,50mA,电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
CZT5551
厂牌:
Slkor(萨科微)
封装:
SOT-223
手册:
市场价:
¥0.225
库存量:
10377
热度:
供应商报价
9
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):160V,耗散功率(Pd):1.5W
2SA1201
厂牌:
CJ(江苏长电/长晶)
封装:
SOT-89-3L
手册:
市场价:
¥0.270702
库存量:
26718
热度:
供应商报价
10
描述:
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):800mA,集射极击穿电压(Vceo):120V,耗散功率(Pd):500mW
2SC2383-O
厂牌:
BLUE ROCKET(蓝箭)
封装:
TO-92LM
手册:
市场价:
¥0.2325
库存量:
5620
热度:
供应商报价
1
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):1A,集射极击穿电压(Vceo):160V,耗散功率(Pd):900mW
2SC3585 R45
厂牌:
Slkor(萨科微)
封装:
SOT-23-3L
手册:
市场价:
¥0.24525
库存量:
2900
热度:
供应商报价
1
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):35mA,集射极击穿电压(Vceo):10V,耗散功率(Pd):200mW
FCX493TA
厂牌:
DIODES(美台)
封装:
SOT-89
手册:
市场价:
¥0.532
库存量:
9934
热度:
供应商报价
13
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):100 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 100mA,1A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
ZTX653
厂牌:
DIODES(美台)
封装:
TO-92
手册:
市场价:
¥1.23
库存量:
9768
热度:
供应商报价
7
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):100 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 200mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
ZXTP25100BFHTA
厂牌:
DIODES(美台)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥1.48
库存量:
25761
热度:
供应商报价
9
描述:
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):100 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):295mV @ 200mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
2SC5200-O-JSM
厂牌:
JSMSEMI(杰盛微)
封装:
TO-3PL
手册:
市场价:
¥3.192
库存量:
378
热度:
供应商报价
1
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):16A,集射极击穿电压(Vceo):230V,耗散功率(Pd):180W
BC846C
厂牌:
FOSAN(富信)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.0198
库存量:
77500
热度:
供应商报价
2
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):65V,耗散功率(Pd):300mW
2SA1162
厂牌:
FOSAN(富信)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.0246
库存量:
294500
热度:
供应商报价
3
描述:
集电极电流(Ic):150mA,集射极击穿电压(Vceo):50V,耗散功率(Pd):300mW,直流电流增益(hFE):400@2mA,6V
MMBT5401
厂牌:
ST(先科)
封装:
TO-236
手册:
市场价:
¥0.0394
库存量:
177954
热度:
供应商报价
4
描述:
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):150V,耗散功率(Pd):350mW
MMBTA44
厂牌:
JSMSEMI(杰盛微)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.039861
库存量:
3280
热度:
供应商报价
2
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):300mA,集射极击穿电压(Vceo):400V,耗散功率(Pd):350mW
8050SG-D-AE3-R
厂牌:
UTC(友顺)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.06104
库存量:
14213
热度:
供应商报价
8
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):700mA,集射极击穿电压(Vceo):20V,耗散功率(Pd):300mW
2SCR523EBTL
厂牌:
ROHM(罗姆)
封装:
SOT-416F
手册:
市场价:
¥0.055
库存量:
130734
热度:
供应商报价
10
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 5mA,50mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
2SD1782
厂牌:
CJ(江苏长电/长晶)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.0847
库存量:
282466
热度:
供应商报价
11
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):80V,耗散功率(Pd):200mW
9018M-H
厂牌:
BLUE ROCKET(蓝箭)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.0865
库存量:
0
热度:
供应商报价
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):50mA,集射极击穿电压(Vceo):15V,耗散功率(Pd):310mW
BCX56-16
厂牌:
TWGMC(台湾迪嘉)
封装:
SOT-89
手册:
市场价:
¥0.16016
库存量:
16578
热度:
供应商报价
8
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):1A,集射极击穿电压(Vceo):100V,耗散功率(Pd):500mW
BCX54-16
厂牌:
TWGMC(台湾迪嘉)
封装:
SOT-89
手册:
市场价:
¥0.168
库存量:
3180
热度:
供应商报价
3
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):1A,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):500mW
2N5551G-B-AB3-R
厂牌:
UTC(友顺)
封装:
SOT-89
手册:
市场价:
¥0.21741
库存量:
15724
热度:
供应商报价
8
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):160V,耗散功率(Pd):500mW
2SB772L-P-T60-K
厂牌:
UTC(友顺)
封装:
TO-126
手册:
市场价:
¥0.3136
库存量:
13626
热度:
供应商报价
9
描述:
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):3A,集射极击穿电压(Vceo):30V,耗散功率(Pd):1W
MPSA42
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-92
手册:
市场价:
¥0.3621
库存量:
16388
热度:
供应商报价
6
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):300 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 2mA,20mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
TIP42C
厂牌:
BLUE ROCKET(蓝箭)
封装:
TO-220
手册:
市场价:
¥0.8941
库存量:
2242
热度:
供应商报价
3
描述:
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):6A,集射极击穿电压(Vceo):100V,耗散功率(Pd):65W
ZXTN25100BFHTA
厂牌:
DIODES(美台)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥0.939
库存量:
61025
热度:
供应商报价
12
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 A,电压 - 集射极击穿(最大值):100 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 300mA,3A,电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
2SC5353BL-TN3-R
厂牌:
UTC(友顺)
封装:
TO-252
手册:
市场价:
¥0.79966
库存量:
14335
热度:
供应商报价
6
描述:
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):3A,集射极击穿电压(Vceo):750V,耗散功率(Pd):22W
ZXTN2031FTA
厂牌:
DIODES(美台)
封装:
SOT-23
手册:
市场价:
¥1.55
库存量:
28040
热度:
供应商报价
6
描述:
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5 A,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):170mV @ 250mA,5A,电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO)
D45H11G
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-220
手册:
市场价:
¥1.9206
库存量:
4953
热度:
供应商报价
10
描述:
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 400mA,8A,电流 - 集电极截止(最大值):10µA
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