onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.58
3935
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):30 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):200mV @ 100mA,1A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
Infineon(英飞凌)
SOT-323
¥0.7086
590
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):80mA,集射极击穿电压(Vceo):12V,耗散功率(Pd):580mW
DIODES(美台)
TO-261-4,TO-261AA
¥1.09
12745
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):100 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 200mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
onsemi(安森美)
TO-252(DPAK)
¥2.1
14024
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 400mA,8A,电流 - 集电极截止(最大值):1µA
onsemi(安森美)
TO-220
¥2.93
8970
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8 A,电压 - 集射极击穿(最大值):250 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 100mA,1A,电流 - 集电极截止(最大值):10µA(ICBO)
FOSAN(富信)
SOT-23
¥0.0198
33678
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):225mW
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.02671
21057
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):200mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):200mW
MSKSEMI(美森科)
SOT-523
¥0.0456
24200
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):200mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):150mW
KEC(开益禧)
SOT-23
¥0.0426
380109
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):800mA,集射极击穿电压(Vceo):30V,耗散功率(Pd):350mW
Prisemi(芯导)
SOT-23
¥0.0477
750
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):200mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):150mW
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0504
29115
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):160V,耗散功率(Pd):300mW
MSKSEMI(美森科)
SOT-323
¥0.049
21164
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):200mW
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.056648
28480
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):30 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):650mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
LRC(乐山无线电)
SOT-363(SC-88)
¥0.064
622050
晶体管类型:NPN+PNP,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):380mW
TECH PUBLIC(台舟)
SOT-363
¥0.0706
1880
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):300mW
ST(先科)
TO-92
¥0.0731
5176
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):160V,耗散功率(Pd):625mW
Slkor(萨科微)
SOT-323
¥0.0687
140
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):150mW
AnBon(安邦)
SOT-23
¥0.0551
4095
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):25V,耗散功率(Pd):225mW
Nexperia(安世)
TSSOP-6(SOT-363)
¥0.12126
548111
晶体管类型:2 PNP(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):65V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
JUXING(钜兴)
SOT-89
¥0.159125
1120
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):3A,集射极击穿电压(Vceo):30V,耗散功率(Pd):10W
Hottech(合科泰)
SOT-89
¥0.139175
110
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):1A,集射极击穿电压(Vceo):80V,耗散功率(Pd):1W
华轩阳
SOT-23
¥0.148149
240
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):1.5A,集射极击穿电压(Vceo):20V,耗散功率(Pd):350mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-89-3L
¥0.194
155320
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):2A,集射极击穿电压(Vceo):50V,耗散功率(Pd):500mW
DIODES(美台)
SOT-363
¥0.185
64191
晶体管类型:2 NPN(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200mA,电压 - 集射极击穿(最大值):160V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):200mV @ 5mA,50mA,电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
Slkor(萨科微)
SOT-223
¥0.225
10377
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):160V,耗散功率(Pd):1.5W
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-89-3L
¥0.270702
26718
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):800mA,集射极击穿电压(Vceo):120V,耗散功率(Pd):500mW
BLUE ROCKET(蓝箭)
TO-92LM
¥0.2325
5620
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):1A,集射极击穿电压(Vceo):160V,耗散功率(Pd):900mW
Slkor(萨科微)
SOT-23-3L
¥0.24525
2900
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):35mA,集射极击穿电压(Vceo):10V,耗散功率(Pd):200mW
DIODES(美台)
SOT-89
¥0.532
9934
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):100 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 100mA,1A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
DIODES(美台)
TO-92
¥1.23
9768
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):100 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 200mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
DIODES(美台)
SOT-23
¥1.48
25761
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):100 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):295mV @ 200mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
JSMSEMI(杰盛微)
TO-3PL
¥3.192
378
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):16A,集射极击穿电压(Vceo):230V,耗散功率(Pd):180W
FOSAN(富信)
SOT-23
¥0.0198
77500
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):65V,耗散功率(Pd):300mW
FOSAN(富信)
SOT-23
¥0.0246
294500
集电极电流(Ic):150mA,集射极击穿电压(Vceo):50V,耗散功率(Pd):300mW,直流电流增益(hFE):400@2mA,6V
ST(先科)
TO-236
¥0.0394
177954
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):150V,耗散功率(Pd):350mW
JSMSEMI(杰盛微)
SOT-23
¥0.039861
3280
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):300mA,集射极击穿电压(Vceo):400V,耗散功率(Pd):350mW
UTC(友顺)
SOT-23
¥0.06104
14213
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):700mA,集射极击穿电压(Vceo):20V,耗散功率(Pd):300mW
ROHM(罗姆)
SOT-416F
¥0.055
130734
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 5mA,50mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0847
282466
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):500mA,集射极击穿电压(Vceo):80V,耗散功率(Pd):200mW
BLUE ROCKET(蓝箭)
SOT-23
¥0.0865
0
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):50mA,集射极击穿电压(Vceo):15V,耗散功率(Pd):310mW
TWGMC(台湾迪嘉)
SOT-89
¥0.16016
16578
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):1A,集射极击穿电压(Vceo):100V,耗散功率(Pd):500mW
TWGMC(台湾迪嘉)
SOT-89
¥0.168
3180
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):1A,集射极击穿电压(Vceo):45V,耗散功率(Pd):500mW
UTC(友顺)
SOT-89
¥0.21741
15724
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):600mA,集射极击穿电压(Vceo):160V,耗散功率(Pd):500mW
UTC(友顺)
TO-126
¥0.3136
13626
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):3A,集射极击穿电压(Vceo):30V,耗散功率(Pd):1W
onsemi(安森美)
TO-92
¥0.3621
16388
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):300 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 2mA,20mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
BLUE ROCKET(蓝箭)
TO-220
¥0.8941
2242
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):6A,集射极击穿电压(Vceo):100V,耗散功率(Pd):65W
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.939
61025
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 A,电压 - 集射极击穿(最大值):100 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 300mA,3A,电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
UTC(友顺)
TO-252
¥0.79966
14335
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):3A,集射极击穿电压(Vceo):750V,耗散功率(Pd):22W
DIODES(美台)
SOT-23
¥1.55
28040
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5 A,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):170mV @ 250mA,5A,电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO)
onsemi(安森美)
TO-220
¥1.9206
4953
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 400mA,8A,电流 - 集电极截止(最大值):10µA