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FZT857TA
DIODES(美台)
SOT-223
三极管(BJT)
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3.5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：300 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：345mV @ 600mA，3.5A，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
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价格(含税)
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DIODES(美台)
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SOT223
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1000+:￥1.9 1+:￥2.06 |
830 |
2年内
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圣禾堂
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Diodes(达尔)
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50+:￥2.266 20+:￥2.948 |
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唯样商城
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DIODES INCORPORATED
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1+:￥4.1464 |
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京北通宇
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Diodes(美台)
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1000+:￥1.976 50+:￥2.1424 1+:￥2.7872 |
1055 |
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硬之城
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DIODES(美台)
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SOT-223
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2000+:￥1.6837 1000+:￥1.7288 500+:￥1.804 100+:￥1.9543 30+:￥2.0295 1+:￥2.1046 |
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 3.5 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 300 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 345mV @ 600mA，3.5A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 50nA（ICBO） |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 500mA，10V |
| 功率 - 最大值 | 3 W |
| 频率 - 跃迁 | 80MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |