咨询/建议
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：220mV @ 500mA，5A，电流 - 集电极截止（最大值）：20nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：3A，集射极击穿电压(Vceo)：60V，耗散功率(Pd)：1.75W
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：350mW
晶体管类型：NPN，电压 - 集射极击穿（最大值）：2.8V，频率 - 跃迁：65GHz，噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz，增益：21.5dB
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 100mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，功率(Pd)：150mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：65 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：380mV @ 300mA，6A，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
不适用于新设计
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）
晶体管类型：NPN，PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A，电压 - 集射极击穿（最大值）：30V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：100mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：120V，耗散功率(Pd)：2W
不适用于新设计
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：32 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：800mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：20 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：265mV @ 500mA，5A，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，50mA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：350mV @ 15mA，150mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 100mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：20 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：355mV @ 600mA，6A，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：150 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 200mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：25 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 1mA，10mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：50mA，集射极击穿电压(Vceo)：120V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：10A，集射极击穿电压(Vceo)：80V，耗散功率(Pd)：50W
最后售卖
晶体管类型：NPN，电压 - 集射极击穿（最大值）：12V，频率 - 跃迁：8GHz，噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1.8dB @ 1GHz，增益：12dB
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：700 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：180 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 25mA，250mA，电流 - 集电极截止（最大值）：20nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：300 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，30mA，电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：650mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：2 PNP（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：60V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.6V @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：20nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：290mV @ 100mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）
停产
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：20 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 100mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：200mV @ 300mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：330mV @ 150mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：150 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 200mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：260mV @ 300mA，6A，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 40mA，400mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：700 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电压 - 集射极击穿（最大值）：4.7V，频率 - 跃迁：42GHz，噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz，增益：24.5dB
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：7 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：20 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：175mV @ 280mA，7A，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：70 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：330mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，PNP（耦合发射器），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3A，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：240mV @ 100mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 400mA，8A，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：3A，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：3.5W
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.2V @ 375mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：300µA
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：25 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 100mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：300 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 10mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：190mV @ 300mA，6.5A，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：120mV @ 10mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：2 PNP（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3A，电压 - 集射极击穿（最大值）：40V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：370mV @ 250mA，2.5A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA