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ZXTN2010GTA
DIODES(美台)
SOT-223
三极管(BJT)
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：260mV @ 300mA，6A，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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渠道
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ZXTN2010GTA
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DIODES(美台)
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SOT223
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1000+:￥1.5 1+:￥1.63 |
2101 |
2年内
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圣禾堂
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ZXTN2010GTA
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DIODES INCORPORATED
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1+:￥1.6194 |
122 |
19+
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现货最快4H发
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京北通宇
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ZXTN2010GTA
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美台(DIODES)
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SOT-223
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10000+:￥1.65 2000+:￥1.7813 1000+:￥1.875 500+:￥2.625 100+:￥3.75 20+:￥6.1031 |
2101 |
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油柑网
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ZXTN2010GTA
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Diodes(达尔)
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SOT-223
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1000+:￥1.65 50+:￥1.793 30+:￥2.321 |
2101 |
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3天-15天
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唯样商城
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ZXTN2010GTA
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DIODES(美台)
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SOT-223
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500+:￥1.98 100+:￥2.19 30+:￥2.54 10+:￥2.89 1+:￥3.6 |
657 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 6 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 60 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 260mV @ 300mA，6A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 50nA（ICBO） |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 2A，1V |
| 功率 - 最大值 | 3 W |
| 频率 - 跃迁 | 130MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |