FZT755TA
DIODES(美台)
SOT-223-3
¥1.66
8,001
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):150 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 200mA,1A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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渠道
FZT755TA
DIODES(美台)
SOT223

1000+:¥1.66

1+:¥1.8

1996

24+
立即发货
FZT755TA
Diodes(美台)
SOT-223-3

1000+:¥1.7264

1+:¥1.872

1993

24+
1-2工作日发货
FZT755TA
美台(DIODES)
SOT-223-3

10000+:¥1.826

2000+:¥1.9713

1000+:¥2.075

500+:¥2.905

100+:¥4.15

20+:¥6.7541

1996

-
FZT755TA
Diodes(达尔)
SOT-223-3

1000+:¥1.826

50+:¥1.98

20+:¥2.563

1996

-
3天-15天
FZT755TA
DIODES(美台)
SOT-223-3

30+:¥4.24

10+:¥4.31

1+:¥4.4

20

-
立即发货

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 150 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 200mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 50 @ 500mA,5V
功率 - 最大值 2 W
频率 - 跃迁 30MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA