FZT789ATA
DIODES(美台)
SOT-223
¥1.73
15,900
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 A,电压 - 集射极击穿(最大值):25 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 100mA,3A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
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FZT789ATA
DIODES(美台)
SOT223

1000+:¥1.73

1+:¥1.88

4738

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FZT789ATA
美台(DIODES)
SOT-223-3

10000+:¥1.903

2000+:¥2.0544

1000+:¥2.1625

500+:¥3.0275

100+:¥4.325

20+:¥7.0389

4738

-
FZT789ATA
Diodes(达尔)
SOT-223

1000+:¥1.903

50+:¥2.068

20+:¥2.673

4738

-
3天-15天
FZT789ATA
DIODES(美台)
SOT223

500+:¥2.57

100+:¥3.25

20+:¥3.82

1+:¥5.64

1500

20+/21+
FZT789A
DIODES(美台)
SOT-223

100+:¥2.79

30+:¥2.84

10+:¥2.88

1+:¥2.95

185

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 3 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 25 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 100mA,3A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 300 @ 10mA,2V
功率 - 最大值 2 W
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA