咨询/建议
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 150mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：12 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：410mV @ 100mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 125mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：300µA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：7 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：20 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：290mV @ 700mA，7A，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电压 - 集射极击穿（最大值）：2.25V，噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz，增益：13.5dB ~ 25dB，功率 - 最大值：125mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：300 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 10mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100µA
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：25 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：350mV @ 140mA，4A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：15 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：180mV @ 120mA，6A，电流 - 集电极截止（最大值）：20nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电压 - 集射极击穿（最大值）：5V，频率 - 跃迁：30GHz，噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz，增益：21.5dB
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：300 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 600mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：20 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 100mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：75 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 100mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：10nA
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电压 - 集射极击穿（最大值）：12V，频率 - 跃迁：11GHz，噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：0.6dB @ 900MHz，增益：18dB
停产
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电压 - 集射极击穿（最大值）：5.5V，频率 - 跃迁：21GHz，噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz，增益：12dB ~ 21dB
晶体管类型：2 NPN（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1A，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：270mV @ 50mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：400 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3V @ 2A，8A，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：26 @ 2A，5V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：800 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：120 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
最后售卖
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 400mA，8A，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 100mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）
晶体管类型：2 NPN（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，50mA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V
晶体管类型：2 NPN（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：330mV @ 300mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：25 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.8V @ 1A，5A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：300 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：400 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：750mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：750mV @ 50mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不适用于新设计
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：120 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2V @ 100mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.2V @ 375mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：300µA
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：500 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 10mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5.5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：185mV @ 550mA，5.5A，电流 - 集电极截止（最大值）：20nA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：400 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 1A，4A，电流 - 集电极截止（最大值）：100µA
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：350mW
晶体管类型：2 NPN（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4A，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：320mV @ 200mA，4A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：NPN，电压 - 集射极击穿（最大值）：5.5V，频率 - 跃迁：18GHz，噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz，增益：15.5dB ~ 18.5dB
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：75 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：440mV @ 200mA，4.5A，电流 - 集电极截止（最大值）：10nA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：450 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 20mA，200mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100µA
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：380mV @ 500mA，5A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：2 NPN（双）配对，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.7V @ 600mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.2V @ 375mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：50µA
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：25 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO），不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：25 @ 4mA，10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 400mA，8A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：160 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：450mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：180 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：4V，耗散功率(Pd)：500mW