咨询/建议
RDR005N25TL
ROHM(罗姆)
SC-96
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：250 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：500mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
RDR005N25TL
|
ROHM(罗姆)
|
TSMT3
|
3000+:￥0.445 1+:￥0.476 |
48476 |
25+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
RDR005N25TL
|
ROHM(罗姆)
|
SC-96
|
3000+:￥0.4628 1+:￥0.49504 |
45468 |
25+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
RDR005N25TL
|
罗姆(ROHM)
|
SC-96
|
30000+:￥0.4895 6000+:￥0.5285 3000+:￥0.5563 800+:￥0.7788 100+:￥1.1126 20+:￥1.8107 |
48476 |
-
|
油柑网
|
|
|
RDR005N25TL
|
ROHM(罗姆)
|
SC-96
|
6000+:￥0.5367 3000+:￥0.5724 500+:￥0.6776 150+:￥0.8113 50+:￥0.9184 5+:￥1.1684 |
7365 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
RDR005N25TL
|
ROHM(罗姆)
|
TSMT3
|
200+:￥0.5764 60+:￥0.8349 |
48476 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 250 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 500mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.8 欧姆 @ 250mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 3.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 70 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 540mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-96 |