不适用于新设计
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
8-DIP(0.300",7.62mm)
¥6.7882
3639
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:升压,降压,反激,正激,占空比:67%
ST(意法半导体)
SO-8
¥7.29
88
输出隔离:非隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:730V,电压 - 启动:14.5 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9V ~ 38V
TI(德州仪器)
TSSOP-20
¥18.845
45
输出类型:PWM 信号,功能:升压/降压,输出配置:正,拓扑:全桥,半桥,推挽,输出数:2
停产
onsemi(安森美)
PDIP-7
¥5.4
2678
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8.5V ~ 10V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
8-DIP(0.300",7.62mm),7 引线
¥5.9964
2907
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:78%
停产
onsemi(安森美)
DIP-7
¥5.31
663
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8.5V ~ 10V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
DIP-8
¥7.31
32
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:65%
Infineon(英飞凌)
DSO-8
¥6.1429
17620
是否隔离:隔离,工作电压:10.5V~25V,开关频率:100kHz,最大占空比:75%
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥4.2583
2522
应用:PWM 控制器,电压 - 输入:-0.3V ~ 6.3V,电压 - 供电:7.9V ~ 30V,电流 - 供电:11 mA,工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
TI(德州仪器)
WSON-8-EP(4x4)
¥6.19
17
功能:降压,输出配置:正,可提供隔离,拓扑:降压,输出类型:可调式,输出数:1
ST(意法半导体)
SOIC-20-300mil
¥7.05
23246
模式:间歇(跃迁),频率 - 开关:500kHz,电压 - 供电:10V ~ 20V,工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ),安装类型:表面贴装型
onsemi(安森美)
SOIC-14-4.4mm
¥3.585
832
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:半桥,电压 - 启动:9 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):7.5V ~ 10V
ST(意法半导体)
SOIC-20-300mil
¥6
969
模式:间歇导电(DCM),频率 - 开关:15MHz,电压 - 供电:9.5V ~ 19V,工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ),安装类型:表面贴装型
Infineon(英飞凌)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥6.32
5449
应用:次级侧控制器,同步整流器,电压 - 供电:8.6V ~ 18V,电流 - 供电:48 mA,工作温度:-25°C ~ 125°C,安装类型:表面贴装型
不适用于新设计
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SMD-8P
¥7.2706
783
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:66.5%
TI(德州仪器)
DIP-8
¥6.59
35
应用:PWM 控制器,电压 - 输入:-0.3V ~ 6.3V,电压 - 供电:12V ~ 28V,电流 - 供电:11 mA,工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
onsemi(安森美)
SOIC-8
¥6.4609
10057
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SIP-7
¥6.36
39
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:725V,拓扑:反激,占空比:78%
Infineon(英飞凌)
DSO-8
¥6.61
152
是否隔离:非隔离,工作电压:10V~25.5V,拓扑结构:反激式,特性:欠压保护(UVP);过热保护(OTP);短路保护(SCP);过压保护(OVP);过流保护(OCP)
Infineon(英飞凌)
DIP-7
¥6.69438
7
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:反激,电压 - 启动:16 V
不适用于新设计
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
DIP-8
¥7.007
121
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:68%
不适用于新设计
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
DIP-8
¥7.007
85
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:68%
Infineon(英飞凌)
DIP-8
¥7.2643
37507
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:650V,拓扑:反激,电压 - 启动:18 V
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥7.44
64
应用:PWM 控制器,电压 - 输入:-0.3V ~ 6.3V,电压 - 供电:8.3V ~ 11V,电流 - 供电:500 µA,工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SMD-7P
¥3.8824
18131
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:65%
最后售卖
onsemi(安森美)
WLCSP-6(1x1.7)
¥4.02
2
开关类型:通用,输出数:1,比率 - 输入:输出:2:1,输出配置:高端,输出类型:P 通道
onsemi(安森美)
SOIC-16
¥6.29898
0
输出隔离:隔离,内部开关:无,电压 - 击穿:600V,拓扑:半桥,电压 - 启动:11.9 V
不适用于新设计
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
TO-220
¥8.28
1768
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:升压,降压,反激,正激,占空比:67%
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8
¥7.6505
0
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,降压,升压/降压,输出配置:正,可提供隔离,拓扑:升压,降压,反激,正激转换器,输出数:1
不适用于新设计
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
DIP-8
¥8.3647
1054
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:升压,降压,反激,正激,占空比:67%
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥8.33
3422
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:升压,降压,反激,正激,电压 - 启动:15 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8V ~ 19V
onsemi(安森美)
10-SOP(0.154",3.90mm 宽),9 引线
¥6.95
308
模式:连续导电(CCM),频率 - 开关:65kHz,电压 - 供电:8.5V ~ 11.25V,工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ),安装类型:表面贴装型
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥11.06
197
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:推挽式,电压 - 启动:12.5 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8.3V ~ 14V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SIP-7
¥15.98
70
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:78%
Infineon(英飞凌)
SOIC-12
¥9.4717
13
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:反激,电压 - 启动:16 V
最后售卖
onsemi(安森美)
DIP-8
¥9.51
84
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:650V,拓扑:反激,电压 - 启动:12 V
不适用于新设计
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SMD-8P
¥9.4471
12767
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:升压,降压,反激,正激,占空比:67%
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥9.6986
170
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:推挽式,电压 - 启动:12.5 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8.3V ~ 15V
ST(意法半导体)
SO-16
¥11.26
127
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:反激,升压,电压 - 启动:15 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):10V ~ 20V
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
12-SDIP(0.412",10.46mm),11 引线,裸焊盘
¥8.53
57
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:725V,拓扑:反激,占空比:78%
TI(德州仪器)
SOIC-16
¥12.46
80
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压/降压,输出配置:正,可提供隔离,拓扑:反激,正激转换器,输出数:1
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
TO-220
¥14.79
68
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:反激,占空比:78%
onsemi(安森美)
SOIC-16-EP
¥10.74
133
输出隔离:隔离,内部开关:无,拓扑:半桥,电压 - 启动:9 V,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):9.5V ~ 20V
TI(德州仪器)
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥11.97
109
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压/降压,输出配置:正,可提供隔离,拓扑:反激,正激转换器,输出数:1
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥22.87
15
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压/降压,输出配置:正,拓扑:推挽式,输出数:2
不适用于新设计
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
TO-220
¥12.33
0
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:700V,拓扑:升压,降压,反激,正激,占空比:67%
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥10.9476
16
输出类型:晶体管驱动器,功能:升压,降压,升压/降压,输出配置:正,拓扑:升压,降压,反激,正激转换器,输出数:1
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
InSOP
¥10.1881
0
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:725V,拓扑:反激,次级侧 SR,频率 - 开关:100kHz
Infineon(英飞凌)
SOIC-12
¥15.0166
0
输出隔离:隔离,内部开关:是,电压 - 击穿:800V,拓扑:反激,电压 - 启动:16 V
MPS(Monolithic Power Systems)
SOIC-16
¥15.11
1019
输出隔离:隔离,内部开关:无,电压 - 供电 (Vcc/Vdd):8.9V ~ 15.5V,占空比:50%,频率 - 开关:600kHz